存储器单元中的分数位制造技术

技术编号:5431514 阅读:200 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术包括用于编程存储器单元的方法、装置、模块及系统。一个方法实施例包括在一组存储器单元中存储对应于表示整数数目的位的数据状态的电荷。所述方法还包括在所述组的单元中存储电荷,其中所述电荷对应于经编程状态,其中所述经编程状态表示分数数目的位,且其中所述经编程状态指代由以N为基数的数表达的所述数据状态的数字,其中N等于上舍入为整数的2B,且其中B等于由所述经编程状态表示的所述分数数目的位。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器单元中的分数位
技术介绍
存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在 许多不同类型的存储器,包括随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存 储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及快闪存储器等等。快闪存储器装置用作非易失性存储器以用于广泛范围的电子应用。快闪存储器装 置通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低功率消耗的单晶体管存储器单元。快闪存储器的使用包括用于个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机及蜂窝式 电话的存储器。程序代码及系统数据(例如,基本输入/输出系统(BIOS))通常存储于快 闪存储器装置中。此信息可用于个人计算机系统等中。阵列架构中的存储器单元可被编程到所要状态。也就是说,可将电荷放置于存储 器单元的浮动栅极上或从存储器单元的浮动栅极移除以将所述单元置于若干存储状态中。 举例来说,单电平单元(SLC)可表示由二进制数字1或0表示的两个数据状态。快闪存储 器单元还可存储两个以上数据状态,例如,1111、0111、0011、1011、1001、0001、0101、1101、 1100、0100、0000本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于编程存储器单元(111-1、...、111-N)的方法,其包含:在一组存储器单元(111-1、...、111-N)中存储对应于表示整数数目的位的数据状态的电荷;及在所述组的单元(111-1、...、111-N)中存储电荷(352),其中所述电荷(352)对应于经编程状态(342),其中所述经编程状态(342)表示分数数目的位(210),且其中所述经编程状态(342)指代由以N为基数的数(332)表达的所述数据状态(312)的数字,其中N等于上舍入为整数的2↑[B],且其中B等于由所述经编程状态(342)表示的所述分数数目的位(210)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-10-31 11/932,287一种用于编程存储器单元(111-1、...、111-N)的方法,其包含在一组存储器单元(111-1、...、111-N)中存储对应于表示整数数目的位的数据状态的电荷;及在所述组的单元(111-1、...、111-N)中存储电荷(352),其中所述电荷(352)对应于经编程状态(342),其中所述经编程状态(342)表示分数数目的位(210),且其中所述经编程状态(342)指代由以N为基数的数(332)表达的所述数据状态(312)的数字,其中N等于上舍入为整数的2B,且其中B等于由所述经编程状态(342)表示的所述分数数目的位(210)。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述方法包括在所述组的每一单元(111-1.....111-N)中存储电荷(352),其中由对应于存储于所述组的每一单元(111-1.....111-N)中的所述电荷(352)的所述编程状态(342)表示的所述分数数目的位(210)的总和等于所述 整数数目的位。3.根据权利要求1所述的方法,其中所述方法包括在所述组存储器单元(111-1.....111-N)中存储电荷(352),其中所述组存储器单元(111-1.....111-N)包括一定数目的单元(111-1.....111-N),所述数目等于所述分数数目的位(210)的分数余数的分母。4.根据权利要求1所述的方法,其中所述方法包括使用ECC来校正与经编程到经编程 状态(342)的无效(362)组合的若干组单元(111-1.....111-N)相关联的错误。5.根据权利要求1所述的方法,其中所述方法包括在不同存储器单元(111-1.....111-N)中存储对应于不同分数数目的位(210)的电荷(352)。6.根据权利要求1所述的方法,其中在所述组的所述单元(111-1.....111-N)中存储对应于所述经编程状态(342)的所述电荷(352)包括将所述经编程状态(342)换算成所述 组的所述单元(111-1.....111-N)的电压范围。7.一种用于感测存储器单元(111-1.....111-N)的方法,其包含确定存储于一组存储器单元(111-1.....111-N)的每一单元(111-1.....111-N)中的电荷(352),其中所述电荷(352)对应于经编程状态(342),且其中所述经编程状态(342) 表示分数数目的位(210);根据算法来多路复用所述组单元(111-1.....111-N)的所述经编程状态(342),其中经编程状态(342)指代由以N为基数的数(332)表示的数据状态(312)的数字,其中N等 于上舍入为整数的2B,且其中B等于所述分数数目的位(210);及输出所述数据状态(312),其中所述数据状态(312)表示整数数目的位,且其中所述数 据状态(312)指代以二进制表达的所述以N为基数的数(332)。8.根据权利要求7所述的方法,其中所述方法包括多路复用所述经编程状态(342),使得由所述组的所述单元(111-1.....111-N)中的所述经编程状态(342)表示的所述分数数目的位(210)的总和等于所述整数数目的位。9.根据权利要求7所述的方法,其中所述方法包括输出所述数据状态(312),其中所述 数据状态(312)包括选自包括以下各项的群组的一者用户数据;及错误校正信息。10.根据权利要求7所述的方法,其中所述方法包括确定存储于所述组的每一单元 (111-1.....111-N)中的所述电荷(352),其中所述组包含一定数目的单元(111-1.....111-N),所述数目等于所述分数数目的位(210)的分数余数的最小公分母。11.根据权利要求7所述的方法,其中确定存储于一组存储器单元(111-1.....111-N)的每一单元(111-1.....111-N)中的所述电荷(352)包括感测选自包括以下各项的群组的一者阈值电压电平(200);及使用于特定电荷(352)的读出放大器跳变的电流。12.—种存储器装置(420),其包含存储器单元(111-1.....111-N)的阵列(100,430);及分数位控制器(480),其耦合到所述阵列(100、430),其中所述控制器(480)包括分数位打包器(483),其用以接收指示表示整数数目的位的至少一个数据状态(312)的至少一个信号;且发送指示各自表示分数数目的位(210)的一定数目的经编程状态(342)的至少一个信 号,其中所述数目的经编程状态(342)指代由以N为基数的数(332)表达的所述数据状态 (312)的数字,其中N等于上舍入为整数的2B,且其中B等于位(210)的所述分数数目;及写入换算器(487)...

【专利技术属性】
技术研发人员:威廉H拉德克
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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