用于腔室抽气的偏置衬垫制造技术

本发明专利技术一般包括一腔室衬垫，其与腔室壁分隔开，以允许在抽吸工艺腔室中的气体时，可以在腔室衬垫及腔室壁之间抽吸工艺气体。当真空泵位于承座下方，工艺气体则会抽吸至承座下方，并可能导致工艺腔室部件出现不期望的沉积现象。另外，工艺气体会被抽吸通过狭缝阀开口，因而可能会沉积在狭缝阀开口中。当物质沉积在狭缝阀开口中，可能会发生剥落现象并污染基板。通过沿着侧壁（非具有狭缝阀开口的侧壁）而抽吸工艺气体，则可减少在狭缝阀开口上的不期望的沉积现象。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于腔室抽气的偏置衬垫
技术介绍
本专利技术的实施例一般涉及在腔室衬垫及腔室壁之间具有一抽气气体空间 (evacuation plenum)白勺工月空胃。相关技术说明当在真空中处理基板时，使用真空泵以将工艺腔室抽气至适当的工艺压力。在部 分情形中，真空泵会持续地将导入工艺腔室的工艺气体抽出，以维持期望的工艺压力。真空 泵将工艺气体抽吸经过工艺腔室而至导向真空泵的真空泵口。工艺气体(例如沉积气体)被导入工艺腔室中，并在处理期间会导致沉积在暴露 出的腔室部件上。在不期望的腔室部件上沉积可能会导致部件失效或是在处理期间的基板 污染。当部件失效时，则需要清洁或替换该部件。在任一情形中，需要将工艺腔室停工以取 出部件，而此举会造成基板产量的降低。因此，在该领域中需要一种具有抽气系统的工艺腔室，其降低工艺腔室部件失效 及基板污染。
技术实现思路
本专利技术一般包括一腔室衬垫，其与腔室壁分隔开，以允许在抽吸工艺腔室中的气 体时，可以在腔室衬垫及腔室壁之间抽吸工艺气体。在一个实施例中，一种设备包括腔 室主体，具有形成穿过第一侧的一狭缝阀开口 ；以及耦接至该腔室主体的一或多个突出部 (ledge)。该一或多个突出部自该第一侧延伸而位于该狭缝阀开口上方且距离该腔室的底 部为第一距离。该设备也包括第一腔室衬垫，其耦接至与该腔室主体的该第一侧相邻的至 少一第二侧。该第一腔室衬垫具有与该第二侧及该腔室的底部分隔开的第一衬垫部分，该 第一衬垫部分在该腔室主体中延伸至第一高度，且该第一高度实质等于该第一距离。该设 备也包括一遮蔽框，其设置于该腔室主体中，并且可移动于与该第一腔室衬垫及该一或多 个突出部接触的第一位置以及与该第一腔室衬垫及该一或多个突出部分隔开的第二位置 之间。在另一实施例中，一种设备包括一衬垫组件。该衬垫组件包括第一侧，该第一侧具 有穿过其中的一狭缝阀开口、第一顶表面及第一底表面。该衬垫组件也包括第二侧，该第二 侧具有第二顶表面以及第二底表面，该第二顶表面与该第一顶表面实质上等高度，该第二 底表面高于该第一底表面。该第二侧也具有一上部分以及与该上部分为分隔开的底部分， 且该上部分与该底部分在该第二侧的末端处相耦接。该设备也可包括一遮蔽框，该遮蔽框 可在与该衬垫组件接触的第一位置以及与该衬垫组件分隔开的第二位置之间移动，该遮蔽 框在沿着其三侧具有实质相等的第一宽度，以及沿着第四侧具有第二宽度，且该第二宽度 大于该第一宽度。在另一实施例中，公开了一种方法。该方法包括将一承座由下降位置升高至上升 位置；将一遮蔽框由与一腔室衬垫接触的第一位置升举至与该承座接触且与该腔室衬垫分 隔开的第二位置，藉此，该腔室衬垫与一腔室壁之间的第一距离大于该遮蔽框与该腔室衬垫之间的第二距离。该方法也包括将该遮蔽框周围及该衬垫与该腔室壁之间的工艺气体抽吸至该承座下方的一区域。附图简要说明为了让本专利技术的上述特征更明显易懂，可配合参考实施例说明，其部分绘示如附 图。需注意的是，虽然附图说明了本专利技术特定实施例，但其并非用以限定本专利技术的精神与范 围，任何本领域技术人员可作各种改变与修改而得到等效实施例。图1A绘示根据本专利技术一个实施例的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备的 截面视图。图1B绘示图1A的PECVD设备的截面视图，其中承座位于处理位置。图1C绘示图1A的遮蔽框的示意性上视图。图2A绘示根据本专利技术一个实施例的具有偏置衬垫的设备的示意性上视图。图2B绘示根据本专利技术另一实施例的具有偏置遮蔽框的设备的示意性上视图。图3绘示根据本专利技术另一实施例的具有偏置衬垫及遮蔽框的设备的截面示意图。图4绘示根据本专利技术一个实施例的PECVD设备的截面视图。图5绘示根据本专利技术一个实施例的具有双壁抽气通道的工艺设备的另一截面视 图。图6绘示根据本专利技术一个实施例的具有双壁抽气通道的工艺腔室中的狭缝阀开 口的部分等角示意图。为了便于了解，尽可能地，附图中相同的组件符号表示相同的组件。某一实施例采 用的组件不需特别详述而可应用到其它实施例。具体说明本专利技术一般包括一腔室衬垫，其与腔室壁间隔设置，以允许在将气体自工艺腔室 抽出时，工艺气体会被抽吸至腔室衬垫与腔室壁之间。在此描述的本专利技术关于PECVD设备。 适合的PECVD设备可购自位于加州圣克拉拉的应用材料公司(Applied Material, Inc.)的 独资子公司AKT America公司。可了解下面述及的专利技术可用于其它工艺腔室(包括购自其 它制造商的)，例如蚀刻或物理气相沉积(PVD)腔室。图1A为根据本专利技术一个实施例的PECVD设备的截面视图。PECVD设备包括一腔 室100，该腔室100具有壁102及底部104。喷洒头106及承座118设置在腔室100中，并 在其间界定一处理容积。可透过一狭缝阀开口 108而进出该处理容积，以便基板120可以 传输进出腔室100。承座118耦接至致动器116以使承座118升高及降低。升举销122可 移动地穿设于承座118，以在将基板120放置于承座118上之前以及自承座118移除之后， 用于支撑基板120。承座118也可包括加热及/或冷却元件124，以将承座118维持在期望 温度下。接地带(grounding strap) 126可耦接至承座118，以在承座118周围提供RF接 地。接地带126可耦接至腔室100的底部104。在一个实施例中，接地带126可耦接至承座 118的角落和/或侧边，以及腔室100的底部104。喷洒头106通过耦接件144而耦接至背板112。在一个实施例中，该耦接件144可 包括一螺栓，且该螺栓与该喷洒头106螺锁接合。喷洒头106可通过一或多个耦接件144 而耦接至背板112，以协助防止喷洒头106下垂，及/或控制喷洒头106的平直度/弯曲度。在一个实施例中，可使用12个耦接件144以将喷洒头106耦接至背板112。喷洒头106可 额外使用托架134以耦接至背板112。托架134可具有一突出部(ledge) 136，而喷洒头106 则座落在突出部136上。背板112可座落在与腔室壁102耦接的突出部114上，以密封该 腔室100。承座118的顶表面与喷洒头106之间的间距为约400mil 约1200mil。在一个实 施例中，该间距为约400mil 约800mil。气体源132耦接至背板112，以通过喷洒头106中的气体通道提供气体至基板 120。真空泵110在承座118下方的位置耦接至腔室100，以将处理容积维持在一预定压力。 RF功率源128耦接至背板112和/或喷洒头106，以提供RF功率至喷洒头106。RF功率在 喷洒头106与承座118之间产生电场，以便由来自喷洒头106与承座118之间的气体产生 等离子体。可以使用多种频率，例如介于约0.3MHz 约200MHz。在一个实施例中，RF功率 在频率为13. 56MHz下提供。远程等离子体源130 (例如感应耦合远程等离子体源)也可耦接于气体源132与 背板112之间。在处理基板之间，可将清洁气体提供至远程等离子体源130，以产生远程等 离子体。随后可将来自远程产生的等离子体的自由基提供至腔室100，以清洁腔室100的部 件。清洁气体可进一步由RF功率源128提供至喷洒头106的功率而激发。适合的清本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，包括：一腔室主体，具有穿过一第一侧形成的一狭缝阀开口；一或多个突出部，耦接至该腔室主体，并自该第一侧延伸而位于该狭缝阀开口上方且距离该腔室的底部为第一距离处；一第一腔室衬垫，耦接至与该腔室主体的该第一侧相邻的至少一第二侧，该第一腔室衬垫具有与该第二侧及该腔室的该底部分隔开的一第一衬垫部分，该第一衬垫部分在该腔室主体中延伸至一第一高度，且该第一高度实质上等于该第一距离；以及一遮蔽框，设置于该腔室主体中，并且在与该第一腔室衬垫及该一或多个突出部接触的第一位置以及与该第一腔室衬垫及该一或多个突出部分隔开的第二位置之间是可移动的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗宾L泰内，苏希尔安瓦尔，古田学，崔永镇，朴范秀，崔寿永，约翰M怀特，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]