磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种制造具有磁分离了的磁记录图形的磁记录介质的方法，该方法的特征在于，包括按以下的（１）～（３）的顺序进行实施的３个工序：（１）在非磁性基板上形成磁性层的工序；（２）除去将磁性层磁分离的区域的磁性层表层部分的工序；（３）将通过除去该磁性层表层部分而露出的磁性层区域的表面暴露于反应性等离子体或反应性离子，降低该磁性层区域的矫顽力和残余磁化，由此形成被具有改性了的磁特性的磁性层区域磁分离的磁记录图形的工序。根据该方法能够高生产率地制造具有增大的记录密度并且消除了磁记录时溢写的磁记录介质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于硬盘装置等磁记录再生装置的磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置。
技术介绍
近年，磁盘装置、软性盘装置、磁带装置等的磁记录装置的适用范围显著地增大， 在其重要性增加的同时，对于这些装置中所使用的磁记录介质，不断谋求其记录密度的显 著提高。尤其是引入MR磁头和PRML技术以来，面记录密度的上升更加激烈，近年又引入 GMR磁头、TMR磁头等，每年在以约100%的速度继续增加。对于这些磁记录介质，今后要求 实现更高记录密度，为此要求实现磁性层的高矫顽力化、高信噪比(SNR)、高分辨力。另外， 近年来在线记录密度提高的同时通过磁道密度的增加来继续努力提高面记录密度。在最新的磁记录装置中，磁道密度竟达到了 llOkTPI。然而，若不断提高磁道密度， 则相邻的磁道间的磁记录信息相互干扰，其边界区域的磁化迁移区域成为噪声源，容易产 生损害SNR的问题。这直接关系到比特错误率(Bit Error Rate)的降低，因此成为提高记 录密度的障碍。为了提高面记录密度，必须使磁记录介质上的各记录比特的尺寸成为更微细的尺 寸，对各记录比特确保尽可能大的饱和磁化和磁性膜厚。然而，若将记录比特不断微细化， 则每一比特的磁化最小体积变小，由热摆导致磁化反转(翻转)，从而产生记录数据消失的 问题。另外，为了磁道间距离接近，磁记录装置在要求极高精确度的磁道伺服技术的同 时，宽幅地进行记录，为了尽可能排除来自相邻磁道的影响，一般地采用比记录时窄地实行 再生的方法。该方法能够将磁道间的影响抑制在最小限度，但难以充分得到再生输出，因此 存在难以确保充分的SNR的问题。作为解决这样的热摆问题和确保SNR或者确保充分的输出的方法之一，进行了下 述尝试在记录介质表面形成沿磁道的凹凸，通过使记录磁道彼此物理地进行分开来提高 磁道密度。以下将这样的技术称为分离磁道法(离散磁道法；discrete track method)，将 由此制造的磁记录介质称为分离磁道介质(离散磁道介质；discrete track medium)。作为分离磁道介质的一例，已知在表面形成了凹凸图形的非磁性基板上形成磁记 录介质，形成物理性地分离的磁记录磁道和伺服信号图形从而构成的磁记录介质(例如参 照专利文献1)。该磁记录介质，是在表面具有多个凹凸的基板的表面上介有软磁性层而形成强磁 性层，在该强磁性层的表面上形成了保护膜的磁记录介质。该磁记录介质，在凸部区域形成 有与周围物理性地分隔的磁记录区域。根据该磁记录介质，由于能够抑制在软磁性层中的畴壁发生，因此难以出现热摆 的影响，也没有相邻的信号间的干扰，所以能够形成噪声少的高密度磁记录介质。分离磁道法有在形成由几层的薄膜构成的磁记录介质后形成磁道的方法；和预先在基板表面上直接形成凹凸图形或者在用于形成磁道的薄膜层上形成凹凸图形之后，进行磁记录介质的薄膜形成的方法(例如参照专利文献2、专利文献3)。其中，前者的方法往往 称为磁层加工型，由于在介质形成后实施对表面的物理加工，因此存在介质在制造工序中 容易被污染的缺点，并且制造工序很复杂。而后者的方法往往称为压花加工型，虽然在制造 工序中难以污染，但由于形成于基板上的凹凸形状被成膜出的膜继承，因此存在一边在介 质上浮动一边进行记录再生的记录再生磁头的浮动姿势、浮动高度不稳定的问题。另外，还公开了对预先形成了分离磁道介质的磁道间区域的磁性层注入氮、氧等 的离子，或者通过照射激光，使其部分的磁特性变化而形成的方法(参照专利文献4 6)。然而，在该方法中，磁性层由于注入离子或激光照射而遭受损伤，有时在磁性层表 面上形成凸凹。另外，在该方法中，虽然注入的离子或激光的能量高，但存在介质整个面的 能量密度低，直到使介质整个面的磁性变化的处理时间变长的问题。专利文献1 日本特开2004-164692号公报专利文献2 日本特开2004-178793号公报专利文献3 日本特开2004-178794号公报专利文献4 日本特开平5-205257号公报专利文献5 日本特开2006-209952号公报专利文献6 日本特开2006-309841号公报
技术实现思路
本专利技术的目的其一方面在于提供能够简易地制造确保与以往同等以上的记录再 生特性并且使记录密度大幅度增加的磁记录介质的磁记录介质制造方法，另外，另一方面 在于提供能够简易地制造通过使磁记录图形部间区域的矫顽力、残余磁化降低到极限而消 除磁记录时的渗写(bleeding atwriting)，进而具有增大了的面记录密度的磁记录介质的 磁记录介质制造方法。本专利技术的另外的目的在于提供具备具有如上所述的特性的磁记录介质，而且具有 良好的磁头浮动特性的所谓的分离磁道型磁记录介质和图案介质等的磁记录再生装置。为了达到上述目的，本申请专利技术者潜心努力研究的结果实现了本申请专利技术。S卩，根据本专利技术，提供以下列举的磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置。 一种磁记录介质的制造方法，是具有磁分离了的磁记录图形的磁记录介质的 制造方法，其特征在于，包括按以下的(1)、(2)、(3)的顺序来实施的3个工序(1)在非磁性基板上形成磁性层的工序；(2)除去将磁性层磁分离的区域的磁性层表层部分的工序；(3)将通过除去该磁性层表层部分而露出的磁性层区域的表面暴露于反应性等离 子体或反应性离子，对该磁性层区域的磁特性进行改性，由此形成被具有改性了的磁特性 的磁性层区域磁分离的磁记录图形的工序。根据上述所述的磁记录介质的制造方法，其中，在工序(2)中所除去的磁 性层表层部分的厚度在0. Inm 15nm的范围内。根据上述或所述的磁记录介质的制造方法，其中，在工序(2)中通过 离子铣削(ion milling)进行磁性层表层部分的除去。根据上述 的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其中，在工序 (3)中，通过将该磁性层区域的表面暴露于反应性等离子体或反应性离子，使具有改性了的 磁特性的磁性层区域的磁化量为具有未被改性的磁特性的磁性层区域的磁化量的75%以 下。根据上述 的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其中，在工序 (3)中，通过将该磁性层区域的表面暴露于反应性等离子体或反应性离子，使具有改性了的 磁特性的磁性层区域的矫顽力为具有未被改性的磁特性的磁性层部分的矫顽力的50%以 下。根据上述 的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其中，反应性等 离子体或反应性离子是含有氧离子的等离子体或反应性离子。根据上述 的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其中，反应性等 离子体或反应性离子是含有卤离子的等离子体或反应性离子。根据上述所述的磁记录介质的制造方法，其中，卤离子是将选自CF4、SF6、 CHF3、CCl4、KBr中的至少一种卤化气体导入到反应性等离子体中而形成的卤离子。根据上述所述的磁记录介质的制造方法，其中，卤离子是F离子(氟离 子)。 一种磁记录介质的制造方法，是具有磁分离了的磁记录图形的磁记录介质的 制造方法，其特征在于，包括按以下的(1) (7)的顺序来实施的7个工序(1)在非磁性基板上形成磁性层的工序；(2)在磁性层上形成掩蔽层的工序；(3)在掩蔽层上形成抗蚀剂层的工序；(4)在抗蚀剂层上形成磁分离磁性层的磁记录图形的工序；(5)除去在磁记录图形中磁分离磁性层的区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录介质的制造方法，是具有磁分离了的磁记录图形的磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括按以下的（１）、（２）、（３）的顺序进行实施的３个工序：（１）在非磁性基板上形成磁性层的工序；（２）除去将磁性层磁分离的区域的磁性层表层部分的工序；（３）将通过除去该磁性层表层部分而露出的磁性层区域的表面暴露于反应性等离子体或反应性离子，对该磁性层区域的磁特性进行改性，由此形成被具有改性了的磁特性的磁性层区域磁分离的磁记录图形的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：福岛正人，坂脇彰，山根明，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]