负电平高压位移电路制造技术

负电平高压位移电路，涉及电子技术。本发明专利技术包括第一恒压源产生器、第二恒压源产生器、反相器、偏置Ｐ型晶体管、偏置电路和筘位电路；偏置电压输入端接第二恒压源产生器，还通过反相器接第二恒压源产生器；偏置Ｐ型晶体管接第一恒压源产生器和第二恒压源产生器，还和输出端连接；偏置电路和筘位电路并联于输出端和低电平输入端之间，低电平输出端还连接第一恒压源产生器和第二恒压源产生器；高电平输入端接第一恒压源产生器和第二恒压源产生器；高压负电平输入端接第一恒压源产生器。本发明专利技术简化了原理电路的结构设计，解决了高压器件的复杂性，降低了工艺实现的难度，增加了整体电路的稳定性，扩大了该电路的适用范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子
，涉及应用于负电平高压位移电路。
技术介绍
现在市场上很多半导体集成电路驱动芯片或者功率电子芯片系统中，都存在不同 的电源电压，有的电源电压只有几伏，有的电源电压则高达几十伏。为了将它们应用在各种 不同的外接电子设备或装置中，必须在这些设备或者装置与使用不同电源电压的驱动芯片 或者功率电子芯片系统之间提供接口，从而必须在半导体集成电路中使用从高压转换低压 或者低压转换高压的电平位移电路。另外，为了在半导体集成电路中向每个电路块提供最佳的电源电压，因此需在不 同电源电压的电路块之间提供接口，也必须使用电平位移电路。因此可以预见未来电平位 移电路的重要性正日益增加。近来高效、节约、环保的绿色科技盛行，伴随节能低功耗要求的出现，以及半导体 集成电路驱动芯片以及功率电子芯片应用范围的不断扩大，半导体集成电路芯片越来越多 的应用在高压领域。在分立元件构成的高压负电平位移电路中，通常采用光电耦合器或脉冲变压器来 实现，然而光耦传输线性范围小，工作电流小，只能用于小电流范围，脉冲变换器对指标要 求比较高容易产生失真，最大的问题在于这两种器件都不便于集成，因而这两种方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
负电平高压位移电路，其特征在于，包括第一恒压源产生器、第二恒压源产生器、反相器、偏置Ｐ型晶体管、偏置电路和筘位电路；偏置电压输入端（ＩＮＶ１）接第二恒压源产生器，还通过反相器接第二恒压源产生器；偏置Ｐ型晶体管接第一恒压源产生器和第二恒压源产生器，还和输出端（ＶＯＵＴ）连接；偏置电路和筘位电路并联于输出端（ＶＯＵＴ）和低电平输入端（Ｖｓｓ１）之间，低电平输出端（Ｖｓｓ１）还连接第一恒压源产生器和第二恒压源产生器；高电平输入端（Ｖｃｃ）接第一恒压源产生器和第二恒压源产生器；高压负电平输入端（Ｖｓｓ２）接第一恒压源产生器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：方健，李文昌，管超，吴琼乐，于廷江，柏文斌，王泽华，陈吕赟，黄国辉，
申请(专利权)人：成都成电硅海科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]