推挽输出级驱动电路制造技术
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及通信领域，具体而言，涉及一种推挽输出级驱动电路。
技术介绍
在模拟芯片中，推挽输出级是一种很常见的电路，对于信号传输电路尤其重要，因为它总是一个管子打开另外一个管子关闭，没有电流流过而大大的节省了功耗，但推挽输出级电路有一个缺点就是它在两个管子交替打开的时候会有一个死区时间，即一个管子已经关闭，而另一个还没有打开，这会造成信号的失真。图1为相关技术中推挽输出级的基本电路示意图。晶体管PM1和NM1为推挽输出级的两个输出管。Vdr1为PM1的栅极电压，驱动PM1管打开或者关闭；Vdr2为NM1的栅极电压，驱动NM1管打开或者关闭。图2为相关技术中普通推挽输出级驱动电路示意图。图2所示，晶体管NM1的栅极Vdr2连接到电流源I2上，同时连接到二极管D2的负端，D2的正端与电阻R1的一端相连接，电阻R1的另一端连接到二极管D1的负端，二极管D1的正端连接到晶体管PM1的栅极Vdr1上，同时连接到电流源I1上。Vdr1＝2*Vdiode+I*R+Vdr2，当Vdr2改变的时候，二极管两端电压不会突变，它会先造成二极管两端电压增大或者减小，流过它的电流就有需求要...
【技术保护点】
一种推挽输出级驱动电路，用于驱动第一ＰＭＯＳ晶体管和第一ＮＭＯＳ晶体管交替打开，其特征在于，所述电路包括：第一组正反馈电路，连接于所述第一ＰＭＯＳ晶体管的栅极与所述第一ＮＭＯＳ晶体管的栅极之间，用于使所述第一ＰＭＯＳ晶体管的栅极电压随着第一ＮＭＯＳ晶体管的栅极电压的变化进行同向变化，其中，所述第一组正反馈电路包括一条或多条正反馈电路，每一条正反馈电路包括一个或多个ＮＭＯＳ晶体管；第二组正反馈电路，连接于所述第一ＰＭＯＳ晶体管的栅极与所述第一ＮＭＯＳ晶体管的栅极之间，用于使所述第一ＮＭＯＳ晶体管的栅极电压随着第一ＰＭＯＳ晶体管的栅极电压的变化进行同向变化，其中，所述第一组正反...
【技术特征摘要】
1.一种推挽输出级驱动电路，用于驱动第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管交替打开，其特征在于，所述电路包括：第一组正反馈电路，连接于所述第一PMOS晶体管的栅极与所述第一NMOS晶体管的栅极之间，用于使所述第一PMOS晶体管的栅极电压随着第一NMOS晶体管的栅极电压的变化进行同向变化，其中，所述第一组正反馈电路包括一条或多条正反馈电路，每一条正反馈电路包括一个或多个NMOS晶体管；第二组正反馈电路，连接于所述第一PMOS晶体管的栅极与所述第一NMOS晶体管的栅极之间，用于使所述第一NMOS晶体管的栅极电压随着第一PMOS晶体管的栅极电压的变化进行同向变化，其中，所述第一组正反馈电路包括一条或多条正反馈电路，每一条正反馈电路包括一个或多个PMOS晶体管。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路还包括：第一组辅助功能NMOS晶体管，包括：一个或多个NMOS晶体管，与第一组正反馈电路中的一条或多条反馈电路包含的NMOS晶体管相连接，用于将电平抬高并提供至第一组正反馈电路；第二组辅助功能PMOS晶体管，包括：一个或多个PMOS晶体管，与第二组正反馈电路中的一条或多条反馈电路包含的NMOS晶体管相连接，用于将电平降低并提供至第二组正反馈电路。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一组正反馈电路包括第一正反馈电路和第二正反馈电路，其中，所述第一正反馈电路包括：第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的漏极与所述第一PMOS晶体管的栅极相连接，所述第二NMOS晶体管的源极与所述第一NMOS晶体管的栅极相连接；所述第二正反馈电路包括：所述第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管，其中，所述第四NMOS晶体管的栅极与所述第一NMOS晶体管的栅极相连接，所述第四NMOS晶体管的漏极与所述第三NMOS晶体管的源极相连接，所述第三NMOS晶体管的漏极和栅极与所述第二NMOS晶体管的栅极连接在一起，并通过电流源接高电平；第一组辅助功能NMOS晶体管包括：第五NMOS晶体管，其中，所述第五NMOS晶体管的栅极与所述第四NMOS晶体管的漏极、所述第三NMOS晶体管的源极连接在一起，所述第五NMOS晶体管的漏极与所述第四NMOS晶体管的源极相连接，所述第五NMOS晶体管的源极接低电平。4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，当所述第一NMOS晶体管的栅极电压增大或减小时，所述第一正反馈电路中的所述第二NMOS晶体管，用于进行正向放大以引起所述第一PMOS晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：周庆生，林满院，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]
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