利用推挽式控制芯片驱动双N-MOS的半桥式换流电路制造技术

本发明专利技术涉及一种利用推挽式控制芯片驱动双Ｎ－ＭＯＳ的半桥式换流电路，可连接一驱动电路于常见半桥式换流电路，即可使用推挽式控制芯片进行控制半桥式换流电路，包括：一推挽式控制芯片，设有二输出端；一驱动电路，设有二输入端及二输出端，该二输入端连接于该推挽式控制芯片的二输出端，接受该推挽式控制芯片的控制；及一半桥式开关组件，由一第一Ｎ通道场效应晶体管与一第二Ｎ通道场效应晶体管组成，每一Ｎ通道场效应晶体管皆设有一控制端，该控制端连接于该驱动电路的二输出端，通过该驱动电路的驱动，用以将该直流电源切换为该交流电源，并传送至变压器的一次侧端。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种利用推挽式控制芯片驱动双N-MOS的半桥式换流电路，尤指一种可以使用推挽式控制二个N通道场效应晶体管组成的半桥式开关组件，从而驱动负载的换流电路。
技术介绍
TFT面板背光源的电力供应(Power Supply)主要使用换流电路(InverterCircuit)来达成能量的转换及驱动冷阴极荧光灯管(CCFL)的发光，常见的换流电路(Inverter Circuit)因电路拓扑的不同，一般分有半桥式换流电路、全桥式换流电路及推挽式换流电路等，为将直流电转换成交流电的换流电路。请参考图1，为常见推挽式换流电路驱动负载的电路示意图，双压器T1将电路区分成为一次侧的前级电路101与二次侧的后级电路102，该一次侧101包括有一直流电源Vcc、一第一开关Q1、一第二开关Q2等，该二次侧102包括有至少一电容器(C1、C2、C3)、一负载(Load)、至少一二极管(D1、D2)等。再者，一次侧101与二次侧102间连接有一推挽式控制芯片103。配合图2，为常见推挽式控制芯片输出信号及负载端输出波形示意图。推挽式控制芯片103输出一第一控制信号a与一第二控制信号b，其中第一控制信号a与第二控制信号b分别控制一次侧101的第一开关Q1与第二开关Q2的切换工作，同时依据直流电源Vcc的电压，用以提供能量并通过变压器T1将直流电源Vcc的电压升压转换到二次侧102，用以驱动负载(Load)，变压器T1的二次侧输出电压波形c显示C点的电压波形，如图2所示，二次侧输出电压波形c为交流电压波形。上述说明中该推挽式控制芯片103为LINFINITY(MICEOSEMI)公司生产的芯片，其型号为LX1686与LX1691等系列，或为Micro international Limited公司生产的芯片，其型号为02-9RR等系列，和Beyond Innovation technology公司生产的芯片，其型号为BIT3494及BIT3193等系列。请参考图3，为常见半桥式换流电路驱动负载式电路示意图。变压器T2将电路区分成为一次侧的前极电路201与二次侧的后级电路202，一次侧201包括有一直流电源Vcc、二个电子开关(Q1、Q2)、一半桥式控制芯片TL494、二电容器(C1、C2)及一隔离变压器Tr等，二次侧202包括有一负载(Load)。配合图4，为常见半桥式控制芯片输出控制信号及交流电源电压波形示意图。半桥式控制芯片TK494由二个输出端D1、D2输出控制信号D1-D2通过隔离变压器Tr用以分别控制Q1、Q2二个电子开关的切换工作。该二个电子开关Q1、Q2的切换工作，将储存于电容器C1、C2的电能通过一交连电容C3分别传送至变压器T2的一次侧端点T21，用以形成一交流电源ac。电容器C1、C2的电压为直流电源Vcc的一半电压Vcc/2。该交流电源ac用以提供能量给变压器T2，并通过变压器T2将交流电源升压转换到二次侧202，用以驱动负载(Load)。上述说明中，若使用的换流电路(Inverter Circuit)为半桥式换流电路时则需要搭配半桥式控制芯片的控制才能工作，若为推挽式换流电路则需要搭配推挽式控制芯片的控制才能工作。因此在实用上缺乏弹性与共用性。再者，换流电路(Inverter Circuit)在使用上还常受限于控制芯片，而导致换流电路(Inverter Circuit)因受制于以上叙述，而使控制芯片无法共用并统一购料，或需要搭配更多复杂的电路。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种利用推挽式控制芯片驱动双N-MOS的半桥式换流电路，其利用一驱动电路，分别连接于推挽式控制芯片的输出端与二个N通道场效应晶体管所组成的半桥式开关组件的切换工作。本专利技术利用推挽式控制芯片驱动双N-MOS的半桥式换流电路，其于常见半桥式换流电路的二个N通道场效应晶体管与控制芯片之间连接一驱动电路。并且，控制芯片更替为推挽式控制芯片，进而控制该二个N通道场效应晶体管的切换工作。上述说明中，驱动电路包括有一高频变压器，其具有第一输入端、第二输入端、第一输出端及第二输出端，同时该第一输入端通过一RC串联电路连接到推挽式控制芯片的一输出端，并该第二输入端连接到该参考端，该第一输出端通过一第一电阻连接到该第一N通道场效应晶体管的控制端，该第二输出端连接到该变压器的一次侧端；及一第二电阻器，连接于推挽式控制芯片的另一输出端与该第二N通道场效应晶体管的控制端；以及使用一二极管并接于该第二电阻器。如上述说明，本专利技术一种利用推挽式控制芯片驱动双N-MOS的半桥式换流电路，可以通过该驱动电路，用以接收推挽式控制芯片的控制信号，进而控制半桥式换流电路中二个N通道场效应晶体管所组成的半桥式开关组件的切换工作。如此，本专利技术一种利用推挽式控制芯片驱动双N-MOS的半桥式换流电路，可连接一驱动电路于常见半桥式换流电路即可以搭配使用推挽式控制芯片进行控制，在实用上更具有弹性，且不会受限于控制芯片。并且，业者只需使用推挽式控制芯片即可同时控制推挽式换流电路与半桥式换流电路。为了能更进一步了解本专利技术特征及技术内客请参阅一下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图说明图1为常见推挽式换流电路驱动负载的电路示意图；图2为常见推挽式控制芯片输出控制信号及负载端输出电压波形示意图；图3为常见半桥式换流电路驱动负载的电路示意图；图4为常见半桥式控制芯片输出控制信号及交流电源电压波形示意图；图5为本专利技术的电路示意图；图6为本专利技术另一电路示意图；图7为本专利技术再一电路示意图；图8为本专利技术更一电路示意图；图9为本专利技术推挽式控制芯片的输出信号及交流电源电压波形示意图。其中，附图标记说明101前级电路102后级电路103推挽式控制芯片T1变压器a第一控制信号 b第二控制信号 c变压器T1的二次侧输出电压波形201前级电路202后级电路T2变压器TL494半桥式控制芯片D1-D2输出控制信号 Q1控制信号 Q2控制信号 ac交流电源103推挽式控制芯片 302半桥式开关组件 304驱动电路T2变压器 Gnd参考端a第一控制信号 b第二控制信号 ac电压波形具体实施方式请参考第5图，为本专利技术的电路示意图，其中本专利技术利用推挽式控制芯片驱动双N-MOS的半桥式换流电路，连接于一变压器T2的一次侧端，用以将一直流电源Vcc转换成为一交流电源AC，交流电源AC并通过变压器T2以提供负载工作所需的能量。上述说明中，该交流电源AC的峰峰值为直流电源Vcc。再参考第5图，本专利技术利用推挽式控制芯片驱动双N-MOS的半桥换流电路，包括有一推挽式控制芯片103、一驱动电路304、一半桥式开关组件302及二电容器(C2、C3)。其中，推挽式控制芯片103设有二输出端A及B，可输出控制信号。驱动电路304设有二输入端及二输出端，该二输入端连接于该推挽式控制芯片103的二输出端A及B，接受该推挽式控制芯片的控制。半桥式开关组件302，由二个N通道场效应晶体管Q1、Q2组成，每一N通道场效应晶体管皆设有一控制端G，该些控制端G分别连接于该驱动电路304的二输出端，并通过该驱动电路304的驱动，用以将该直流电源Vcc切换为该交流电源AC传送本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用推挽式控制芯片驱动双Ｎ－ＭＯＳ的半桥式换流电路，连接于一变压器的一次侧端，用以将一直流电源转换为一交流电源，包括有：一推挽式控制芯片，设有二输出端；一驱动电路，设有二输入端及二输出端，该二输入端连接于该推挽式控制芯片 的二输出端，接受该推挽式控制芯片的控制；及一半桥式开关组件，由一第一Ｎ通道场效应晶体管与一第二Ｎ通道场效应晶体管组成，每一Ｎ通道场效应晶体管皆设有一控制端，该控制端连接于该驱动电路的二输出端，通过该驱动电路的驱动，用以将该直流电源切 换为该交流电源，并传送至该变压器的一次侧端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈振刚，王政雄，
申请(专利权)人：联昌电子企业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]