一种基于双MOS管的急停电路、封装体、急停电路器制造技术

本发明专利技术公开一种基于双MOS管的急停电路、封装体、急停电路器。该急停电路包括用于对受控对象实现急停的双MOS管、用于驱动该双MOS管开启和关闭的MOS管驱动电路。双MOS管包括N沟道MOS管Q1和P沟道MOS管Q2，MOS管驱动电路包括电阻R1～R4、常闭急停开关K。Q2的源极和栅极之间串接R1，Q2的源极还连接VCC，Q2的漏极为输出端OUT+。Q1的源极和栅极之间串接R4，Q1的源极电性接地，Q1的漏极为输出端OUT-。Q2的栅极经由R2连接常闭急停开关K的一端，Q1的栅极经由R3连接常闭急停开关K的另一端；输出端OUT+和输出端OUT-分别作为该受控对象的输入端IN+和IN-。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及低压电子电路领域，尤其涉及一种基于双MOS管的急停电路、具有该急停电路的封装体、具有该急停电路的电路器。
技术介绍
常规的急停方案一般有两种：一、急停开关直接串入供电电路中，直接切断电源完成急停；二、通过控制电路控制继电器或者交流接触器切断电源完成急停。第一种方案简单便捷，但低压大电流场合需要考虑到导线电阻引起的压降问题，尤其是在急停开关离被控电源比较远的场合下。同时对急停开关电流要求也比较高。第二种多用于高压大电流场合，大部分场合都能满足要求，但也有缺点，急停装置体积偏大，价格偏高，由于是机械触点，急停动作略有延时，触点寿命也是有限的。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种能实现受控对象急停的基于双MOS管的急停电路、具有该急停电路的封装体、具有该急停电路的电路器。本专利技术是这样实现的，一种基于双MOS管的急停电路，其包括用于对受控对象实现急停的双MOS管、用于驱动该双MOS管开启和关闭的MOS管驱动电路；该双MOS管包括一个N沟道MOS管Q1和一个P沟道MOS管Q2，该MOS管驱动电路包括电阻R1～R4、一个常闭急停开关K；P沟道MOS管Q2的源极和栅极之间串接电阻R1，P沟道MOS管Q2的源极还连接电源VCC，P沟道MOS管Q2的漏极为输出端OUT+；N沟道MOS管Q1的源极和栅极之间串接电阻R4，N沟道MOS管Q1的源极电性接地GND，N沟道MOS管Q1的漏极为输出端OUT-；P沟道MOS管Q2的栅极经由电阻R2连接常闭急停开关K的一端，N沟道MOS管Q1的栅极经由电阻R3连接常闭急停开关K的另一端；输出端OUT+和输出端OUT-分别作为该受控对象的输入端IN+和IN-。作为上述方案的进一步改进，N沟道MOS管Q1和P沟道MOS管Q2均采用T0220封装。作为上述方案的进一步改进，N沟道MOS管Q1为IRF3205MOS管。作为上述方案的进一步改进，P沟道MOS管Q2为IRF4905MOS管。本专利技术还提供一种基于双MOS管的急停电路封装体，其为如下所述的基于双MOS管的急停电路的封装体，该基于双MOS管的急停电路包括用于对受控对象实现急停的双MOS管、用于驱动该双MOS管开启和关闭的MOS管驱动电路；该双MOS管包括一个N沟道MOS管Q1和一个P沟道MOS管Q2，该MOS管驱动电路包括电阻R1～R4、一个常闭急停开关K；P沟道MOS管Q2的源极和栅极之间串接电阻R1，P沟道MOS管Q2的源极还连接电源VCC，P沟道MOS管Q2的漏极为输出端OUT+；N沟道MOS管Q1的源极和栅极之间串接电阻R4，N沟道MOS管Q1的源极电性接地GND，N沟道MOS管Q1的漏极为输出端OUT-；P沟道MOS管Q2的栅极经由电阻R2连接常闭急停开关K的一端，N沟道MOS管Q1的栅极经由电阻R3连接常闭急停开关K的另一端；输出端OUT+和输出端OUT-分别作为该受控对象的输入端IN+和IN-；P沟道MOS管Q2的源极和漏极、N沟道MOS管Q1的漏极分别引出作为该封装体的引脚。本专利技术还提供一种基于双MOS管的急停电路器，其包括外壳、触动键、接口以及收容在该外壳内的电子器件，该电子器件为如下所述的基于双MOS管的急停电路，该基于双MOS管的急停电路包括用于对受控对象实现急停的双MOS管、用于驱动该双MOS管开启和关闭的MOS管驱动电路；该双MOS管包括一个N沟道MOS管Q1和一个P沟道MOS管Q2，该MOS管驱动电路包括电阻R1～R4、一个常闭急停开关K；P沟道MOS管Q2的源极和栅极之间串接电阻R1，P沟道MOS管Q2的源极还连接电源VCC，P沟道MOS管Q2的漏极为输出端OUT+；N沟道MOS管Q1的源极和栅极之间串接电阻R4，N沟道MOS管Q1的源极电性接地GND，N沟道MOS管Q1的漏极为输出端OUT-；P沟道MOS管Q2的栅极经由电阻R2连接常闭急停开关K的一端，N沟道MOS管Q1的栅极经由电阻R3连接常闭急停开关K的另一端；输出端OUT+和输出端OUT-分别作为该受控对象的输入端IN+和IN-；P沟道MOS管Q2的源极、输出端OUT+和输出端OUT-分别连接该接口，该接口固定在该外壳上用于可插拔式插接在该受控对象上使输出端OUT+和输出端OUT-分别连接该受控对象的输入端IN+和IN-，还使P沟道MOS管Q2的源极连接该受控对象的电源VCC；该触动键设置在该外壳上用于触动常闭急停开关K的开启或闭合。作为上述方案的进一步改进，N沟道MOS管Q1和P沟道MOS管Q2均采用T0220封装。作为上述方案的进一步改进，N沟道MOS管Q1为IRF3205MOS管。作为上述方案的进一步改进，P沟道MOS管Q2为IRF4905MOS管。本专利技术还提供另一种基于双MOS管的急停电路器，其包括外壳、触动键、接口以及收容在该外壳内的电子器件，该电子器件为如下所述的基于双MOS管的急停电路的封装体，该基于双MOS管的急停电路包括用于对受控对象实现急停的双MOS管、用于驱动该双MOS管开启和关闭的MOS管驱动电路；该双MOS管包括一个N沟道MOS管Q1和一个P沟道MOS管Q2，该MOS管驱动电路包括电阻R1～R4、一个常闭急停开关K；P沟道MOS管Q2的源极和栅极之间串接电阻R1，P沟道MOS管Q2的源极还连接电源VCC，P沟道MOS管Q2的漏极为输出端OUT+；N沟道MOS管Q1的源极和栅极之间串接电阻R4，N沟道MOS管Q1的源极电性接地GND，N沟道MOS管Q1的漏极为输出端OUT-；P沟道MOS管Q2的栅极经由电阻R2连接常闭急停开关K的一端，N沟道MOS管Q1的栅极经由电阻R3连接常闭急停开关K的另一端；输出端OUT+和输出端OUT-分别作为该受控对象的输入端IN+和IN-；P沟道MOS管Q2的源极、输出端OUT+和输出端OUT-分别连接该接口，该接口固定在该外壳上用于可插拔式插接在该受控对象上使输出端OUT+和输出端OUT-分别连接该受控对象的输入端IN+和IN-，还使P沟道MOS管Q2的源极连接该受控对象的电源VCC；该触动键设置在该外壳上用于触动常闭急停开关K的开启或闭合。本专利技术基于双MOS管急停方案。优点如下：MOS管导通电阻只有数十毫欧级别，在通过很大电流的情况下压降依然很小，急停使用的MOS管采用TO220封装，体积比继电器或交流接触器体积明显要小很多；因为MOS管通断没有机械触点本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于双MOS管的急停电路，其特征在于：其包括用于对受控对象实现急停的双MOS管、用于驱动该双MOS管开启和关闭的MOS管驱动电路；该双MOS管包括一个N沟道MOS管Q1和一个P沟道MOS管Q2，该MOS管驱动电路包括电阻R1～R4、一个常闭急停开关K；P沟道MOS管Q2的源极和栅极之间串接电阻R1，P沟道MOS管Q2的源极还连接电源VCC，P沟道MOS管Q2的漏极为输出端OUT+；N沟道MOS管Q1的源极和栅极之间串接电阻R4，N沟道MOS管Q1的源极电性接地GND，N沟道MOS管Q1的漏极为输出端OUT‑；P沟道MOS管Q2的栅极经由电阻R2连接常闭急停开关K的一端，N沟道MOS管Q1的栅极经由电阻R3连接常闭急停开关K的另一端；输出端OUT+和输出端OUT‑分别作为该受控对象的输入端IN+和IN‑。

【技术特征摘要】
1.一种基于双MOS管的急停电路，其特征在于：其包括用于对受控对象
实现急停的双MOS管、用于驱动该双MOS管开启和关闭的MOS管驱动电路；
该双MOS管包括一个N沟道MOS管Q1和一个P沟道MOS管Q2，该MOS
管驱动电路包括电阻R1～R4、一个常闭急停开关K；P沟道MOS管Q2的源极
和栅极之间串接电阻R1，P沟道MOS管Q2的源极还连接电源VCC，P沟道
MOS管Q2的漏极为输出端OUT+；N沟道MOS管Q1的源极和栅极之间串接
电阻R4，N沟道MOS管Q1的源极电性接地GND，N沟道MOS管Q1的漏极
为输出端OUT-；P沟道MOS管Q2的栅极经由电阻R2连接常闭急停开关K
的一端，N沟道MOS管Q1的栅极经由电阻R3连接常闭急停开关K的另一端；
输出端OUT+和输出端OUT-分别作为该受控对象的输入端IN+和IN-。
2.根据权利要求1所述的基于双MOS管的急停电路，其特征在于：N沟
道MOS管Q1和P沟道MOS管Q2均采用T0220封装。
3.根据权利要求1所述的基于双MOS管的急停电路，其特征在于：N沟
道MOS管Q1为IRF3205MOS管。
4.根据权利要求1所述的基于双MOS管的急停电路，其特征在于：P沟
道MOS管Q2为IRF4905MOS管。
5.一种基于双MOS管的急停电路封装体，其特征在于：其为根据权利要
求1所述的基于双MOS管的急停电路的封装体，P沟道MOS管Q2的源极和
漏极、N沟道MOS管Q1的漏极分别引出作为该封装体的引脚。
6.一种基于双MOS管的急停电...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱力，朱云鹏，
申请(专利权)人：苏州天准精密技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32