功率器件开关放大保护电路制造技术

技术编号:10908349 阅读:83 留言:0更新日期:2015-01-14 16:33
功率器件开关放大保护电路,包括保护电路;所述的保护电路包括电阻R1,PNP型三极管Q1,NPN型三极管Q2,电阻R2和电阻R4,其中,电阻R1的一端与三极管Q1的发射极相连,电阻R1的另一端与三极管Q1的基极、三极管Q2的集电极相连,三极管Q1的基极、三极管Q2集电极的连接点还与一MOS管T1的栅极连接,MOS管T1的栅极还与电阻R1连接,MOS管T1的源极通过电阻R4接地;在MOS管T1的源极与电阻R1间设有放大电路。本实用新型专利技术对功率器件开关进行保护,而且有效避免了MOS管开关的输入信号削弱现象,提高电路输出信号的品质,进而提高MOS管开关的控制质量。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
功率器件开关放大保护电路,其特征在于,功率器件开关放大保护电路,包括保护电路;所述的保护电路包括电阻R1,PNP型三极管Q1,NPN型三极管Q2,电阻R2和电阻R4,其中,电阻R1的一端与三极管Q1的发射极相连,电阻R1的另一端与三极管Q1的基极、三极管Q2的集电极相连,三极管Q1的基极、三极管Q2集电极的连接点还与一MOS管T1的栅极连接,MOS管T1的栅极还与电阻R1连接,MOS管T1的源极通过电阻R4接地;三极管Q2的发射极接地,三极管Q2的基极与三极管Q1的集电极以及电阻R2相连,电阻R4一端接地,另一端与电阻R2一端相连端相连;在MOS管T1的源极与电阻R1间设有放大电路,所述的放大电路括电容C1、电容C2、放大器Q1和偏置电路,放大器Q1的两个接地端分别接地,放大器Q1的输入端与电容C1连接,电容C1与三极管Q1的基极、三极管Q2集电极的连接点和电阻R1连接,放大器Q1的输出端分别与电容C2及偏置电路连接;所述的偏置电路包括电感L1、电容C3、电容C4和电阻R1,电感L1的一端与放大器Q1的输出端连接,电感L1的另一端通过电容C3接地,电感L1的另一端还与电阻R1的一端连接,电阻R1的另一端通过电容C4接地,电阻L1的另一端还与电源VDD连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:朱晓宏
申请(专利权)人:江西双宏科技电气有限公司
类型:新型
国别省市:江西;36

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