一种高真空陶瓷ＬＣＣ封装方法技术

本发明专利技术属于ＭＥＭＳ器件封装技术领域，具体涉及一种高真空陶瓷ＬＣＣ封装方法。按照本方法所述步骤依次经过等离子清洗、共晶贴片、引线互连、吸气剂激活和共晶封接完成封装的ＭＥＭＳ器件满足如下要求：封装腔体内的真空度小于１Ｐａ，保存期限大于等于１５年，实现了硅微陀螺Ｑ值约为１５万的封装。通过采用等离子清洗方法，提高了封装质量，降低了封装体的整体漏率，即外漏问题；通过选用与封接焊料相同的贴片焊料进行共晶的方法进行贴片，减少了封装体内部材料的放气量；通过吸气剂激活，可有效吸附封装体内释放的少量气体，保证了封装体内的较好真空度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高真空陶瓷ＬＣＣ封装方法，其特征在于步骤依次如下：（１）对待封装零件进行等离子清洗；（２）共晶贴片，把微结构芯片（５）贴装至陶瓷ＬＣＣ（３）上；（３）引线互连，将微结构芯片（５）与陶瓷ＬＣＣ（３）电气连接；（４）将吸气剂（４）激活；（５）共晶封接，把密封盖板（１）与陶瓷ＬＣＣ（３）封接在一起。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨军，郑辛，王登顺，丁凯，安泰，余凯，章敏明，
申请(专利权)人：北京自动化控制设备研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]