微机械的元件以及用于制造微机械的元件的方法技术

用于制造微机械的元件的方法，其中对至少具有金属层（３、６、７、７’）以及包含ＳｉＧｅ的牺牲层（５、５’）的基底（１）进行结构化，并且其中还通过用含氟的化合物例如ＣｌＦ３进行的蚀刻至少部分地再去除所述牺牲层（５、５’），其中，在蚀刻所述牺牲层（５、５’）之前，将带有所述牺牲层（５、５’）和所述金属层（３、６、７、７’）的所述基底（１）在≥１００℃到≤４００℃的温度下进行回火。所述金属层（３、６、７、７’）的材料可以包括铝。此外，本发明专利技术涉及一种包括金属层（３、６、７、７’）的微机械的元件，其中所述金属层的材料以多晶的组织存在，并且其中≥９０％的晶粒具有≥１μｍ到≤１００μｍ的尺寸，并且将这种微机械的元件用作压力传感器、高频开关或者变容二极管。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
用于制造微机械的元件的方法，其中，对至少具有金属层（３、６、７、７’）以及包含ＳｉＧｅ的牺牲层（５、５’）的基底（１）进行结构化，并且其中还通过用含氟的化合物进行的蚀刻至少部分地再去除所述牺牲层（５、５’），其特征在于，在蚀刻（去除）所述牺牲层（５、５’）之前，将带有所述牺牲层（５、５’）和所述金属层（３、６、７、７’）的所述基底（１）在≥１００℃到≤４００℃的温度下进行回火。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：T布克，M斯图姆贝尔，
申请(专利权)人：罗伯特博世有限公司，
类型：发明
国别省市：DE