【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电子器件制造
，尤其是涉及。
技术介绍
黑硅是一种电子产业革命性的新型材料结构，通常是指吸收率很高的硅表面或硅基薄膜。20世纪90年代末，哈佛大学Eric Mazur教授研究组在飞秒激光与物质相互作用 研究的过程中，发现利用飞秒激光在一定气体环境下照射硅片可在硅表面激光辐照区产生 微米量级的尖峰结构。接着他们发展了这种微观构造硅表面的新技术一利用飞秒激光在一 定气体环境下刻蚀硅，制备出具有一定刻蚀面积的新材料，原本是灰色有光泽的硅表面在 刻蚀过的地方肉眼看去完全变成了黑色，因而这种新的硅材料也被称为“黑硅”。中国专利 说明书CN 101734611A(公开日2010年6月16日)公开了一种基于无掩膜深反应离子刻 蚀制备黑硅的方法，其原理是将硅片浸没在等离子体气氛中，采用刻蚀与钝化的方式交替 对硅片进行处理，一段时间的数次交替处理后硅片表面形成倒立金字塔结构。黑硅由于其特殊的结构使其在多个领域都有广泛的应用。Eric Mazur等在研究 黑硅的光电性质时惊奇地发现这种表面微结构的硅材料具有奇特的光学性质，它对近紫 外_近红外波段的光(波长为...
【技术保护点】
一种黑硅钝化方法，其特征在于，所述方法包括：将利用等离子体浸没离子注入技术制备的黑硅放置于钝化装置的腔室内；调整所述钝化装置工艺参数达到预设定的工作范围，向所述钝化装置通入混合气体，所述混合气体包括反应气体；利用等离子体增强化学气相沉积，在所述黑硅表面沉积钝化薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：夏洋，刘邦武，李超波，刘杰，李勇滔，陈瑶，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，嘉兴科民电子设备技术有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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