发光器件和发光器件封装制造技术

本发明专利技术提供发光器件、发光器件封装和照明系统。发光器件（ＬＥＤ）包括：ＬＥＤ芯片；在所述ＬＥＤ芯片上的阻挡物；和含有磷光体的包封材料，其中所述包封材料设置在所述ＬＥＤ芯片上的所述阻挡物之内。

【技术实现步骤摘要】

实施方案涉及发光器件、发光器件封装和照明系统。
技术介绍
发光器件(LED)可通过具有将电能转化为光能的特性的p-n结二极管与元素周期 表的III族元素和V族元素相结合而实现。LED可通过调整化合物半导体的组成比来实现 不同颜色。分别发射红色、绿色和蓝色光(三原色)的三种LED(即红光LED、绿光LED和蓝 光LED)可以相互组合，黄色磷光体(利用如钇铝石榴石(YAG)和铽铝石榴石(TAG)的磷光 体)可加入到蓝光LED中，或者三色(红/绿/蓝)磷光体可应用到UV LED中以实现白光 LED封装。但是，在相关技术的利用磷光体的白光LED封装中，在包封材料内的磷光体在模 制之后可随时间流逝而在LED封装的底部沉淀。因此，存在磷光体不均勻地分布在LED芯 片周围从而使得色温分布变宽的局限。另外，根据相关技术，磷光体可具有比LED面积相对更大的分布面积。因此，存在 磷光体不均勻地分布在LED芯片周围从而使得色温分布变宽的局限。
技术实现思路
实施方案提供其中磷光体均勻分布在周围的发光器件、发光器件封装和照明系 统。在一个实施方案中，发光器件(LED)包括LED芯片；在所述LED芯片上的阻挡物 (barrier)；和含有磷光体的包封材料，其中所述包封材料设置在所述LED芯片上的所述阻 挡物之内。在另一个实施方案中，发光器件封装包括子基座(submoimt)；在所述子基座上 的LED芯片；在所述LED芯片上的阻挡物；和含有磷光体的包封材料，其中所述包封材料设 置在所述LED芯片上的所述阻挡物之内。结合附图和下列说明书对一个或多个实施方案进行详细描述。其他特征可由说明 书和附图以及从权利要求显而易见。附图说明图1是根据第一实施方案的发光器件(LED)封装的剖面图。图2是根据第一实施方案的LED封装的平面图。图3至6A是说明根据第一实施方案的LED封装的制造方法的剖面图。图6B和6C是说明根据第一实施方案的LED封装的其他剖面图。图6D是根据一个实施方案的LED的剖面图。图7是说明根据第二实施方案的LED封装的平面图。图8是说明根据第三实施方案的LED封装的平面图。图9是说明根据第四实施方案的LED封装的剖面图。图10是根据一个实施方案的照明单元的立体图。图11是根据一个实施方案的背光单元的分解立体图。具体实施方案本文中，将根据实施方案参考附图描述发光器件(LED)、LED封装和照明系统。在实施方案的描述中，应理解当层(或膜)称为在另一层或衬底“上”时，其可以 直接在另一层或衬底上，或者也可以存在中间层。另外，应理解当层称为在另一层“下”时， 其可以直接在另一层下，或者也可以存在一个或更多个中间层。另外，也应理解，当层称为 在两层“之间”时，其可以是该两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。实施方案图1是根据第一实施方案的发光器件(LED)封装的剖面图。图2是根据第一实施 方案的LED封装的平面图。图1是图2沿着线1-1’的剖面图。根据一个实施方案的LED封装500可包括子基座100、设置在所述子基座100上的 LED芯片200、设置在所述LED芯片200上的阻挡物310和在所述LED芯片200上的含有磷 光体的包封材料400。阻挡物310可设置在LED芯片200的外侧上表面上。例如，阻挡物310可包括与 LED芯片200的外周相连的阻挡物，但是不限于此。包封材料400可具有平的上表面，但是不限于此。当包封材料400具有平的上表 面时，通过表面发射，光学设计会变得容易。由于包封材料400具有平的上表面，并且在包封材料400的上表面上设置粗糙结 构(未示出)，可以改善外部光提取效率。根据本实施方案的LED和LED封装，阻挡物310可以设置在LED周围以使磷光体 均勻分布在LED周围。因此，可增加磷光体的密度以使得LED的色温分布变窄。下文中将参考图3至6A描述根据第一实施方案的LED封装的制造方法。尽管LED 封装主要描述如下，但是实施方案不限于此。如图6D所示，阻挡物和磷光体层可以以芯片 水平在LED芯片上形成。首先，如图3所示，制备子基座100。子基座100具有与LED芯片的材料类似的热膨胀系数。此外，子基座100可由具 有优异热导率的材料形成。例如，根据本实施方案，子基座100可由硅材料、合成树脂材料 或金属材料形成，但是不限于此。并且，子基座100可包括反射杯(未示出)。另外，具有齐纳(Zener) 二极管形状 的器件可设置在子基座100中以避免静电放电的发生。然后，LED芯片200附着于子基座100上。 LED 芯片 200 可由 GaN、GaAs、GaAsP 或 GaP 形成。例如，绿 蓝 LED 可由 GaN(InGaN) 形成，而黄 红LED可由InGaAIP或AIGaAs形成，但不限于此。图4中所示的LED芯片200可以是垂直型LED芯片，但不限于此。参考图4，LED芯片200可包括形成于第二电极220上的发光结构210。第二电极层220可包括欧姆层、反射层、结层和导电支撑衬底中的至少之一。发光结构210可包括第 二导电型半导体层216、有源层214和第一导电型半导体层212。第一导电型半导体层212可由掺杂有第一导电型掺杂剂的III-V族化合物半导体 形成。当第一导电型半导体层212是N型半导体层时，第一导电型掺杂剂可包括Si、Ge、Sn、 Se或Te作为N型掺杂剂，但是不限于此。第一导电型半导体层212可由具有组成式InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1， 0 ^ x+y ^ 1)的半导体材料形成。第一导电型半导体层212 可由 GaN, InN, A1N、InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP 和 InP 中的至少一种形成。有源层214可具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构和量子点结构 中的至少一种。例如，有源层214可具有通过注入三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气 (N2)和三甲基铟(TMIn)气体形成的MQW结构，但是不限于此。有源层214的阱层/势垒层可形成为具有InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/GaN、 InAlGaN/GaN.GaAs (InGaAs) /AlGaAs、GaP (InGaP) /AlGaP 中的至少之一的对结构，但是不限 于此。阱层可由能带隙低于势垒层的能带隙的材料形成。在有源层214之上或/和之下可形成导电覆层。导电覆层可由AlGaN基半导体形 成并且可具有高于有源层214的能带隙。第二导电型半导体层216可由掺杂有第二导电型掺杂剂的III-V族化合物半导 体形成，例如组成式为InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的半导体材料。 第二导电型半导体层 216 可由 GaN、AlN、AlGaN、InGaN, InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、 GaAs, GaAsP和AlGaInP中的至少一种形成。当第二导电型半导体层216是P型半导体层 时，第二导电型掺杂剂可包括Mg、Zn、Ca、Sr、Ba或类似物作为P型掺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件（ＬＥＤ），包括：ＬＥＤ芯片；在所述ＬＥＤ芯片上的阻挡物；和含有磷光体的包封材料，其中所述包封材料设置在所述ＬＥＤ芯片上的所述阻挡物之内。

【技术特征摘要】
KR 2009-10-22 10-2009-01006541.一种发光器件(LED)，包括: LED芯片；在所述LED芯片上的阻挡物；和含有磷光体的包封材料，其中所述包封材料设置在所述LED芯片上的所述阻挡物之内。2.根据权利要求1的LED，其中所述阻挡物设置在所述LED芯片的外侧上表面上。3.根据权利要求1的LED，其中所述阻挡物包括与所述LED芯片的外周相连接的多个 阻挡物。4.根据权利要求1的LED，其中所述阻挡物包括在所述LED芯片的外周周围的互相分 离的阻挡物。5.根据权利要求4的LED，其中所述相互分离的阻挡物中的至少一个包括垫。6.根据权利要求4的LED，其中所述相互分离的阻挡物中的至少一个包括虚拟垫。7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄贞夏，曹京佑，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR