【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种带有启动电路的带隙电压基准电路，具体地讲，涉及一种具有鲁 棒性启动电路的带隙电压基准电路。
技术介绍
带隙电压基准电路广泛应用于存储电路、模数转换电路和电源管理电路。带隙电 压基准电路用于产生一个不随温度、工艺和电压变化的恒定电压。附图说明图1是示出现有技术中的带隙电压基准电路的电路图。参照图1，带隙电压基准电路包括二极管Dl和D2、电阻器R1、R2和R3、运算放大 器OPAMP以及PMOS管Ml和M2，其中，二极管Dl的正极经电阻器Rl连接到运算放大器OPAMP 的输入端A，二极管D2的正极连接到运算放大器OPAMP的输入端B，二极管Dl和D2的负极 接地GND ；运算放大器OPAMP的输出端C接到PMOS管Ml和M2的栅极；PMOS管Ml和M2的 源极连接到电压为VDD的电源，PMOS管Ml的漏极经电阻器R2连接到运算放大器OPAMP的 输入端A，PMOS管M2的漏极经电阻器R3连接到运算放大器OPAMP的输入端B。运算放大 器的输出端C连接到晶体管Ml和M2的栅极，控制流过Ml和M2的电流Il和12，晶体管Ml 和M2以及运算放大器构成反...
【技术保护点】
一种带有启动电路的带隙电压基准电路，在所述带隙电压基准电路中，共栅极的第一ＰＭＯＳ晶体管Ｍ１和第二ＰＭＯＳ晶体管Ｍ２与运算放大器构成反馈电路，Ｍ１和Ｍ２的源极接电源，Ｍ１和Ｍ２的栅极接运算放大器的输出端，Ｍ１的漏极连接运算放大器的负向输入端，Ｍ２的漏极连接运算放大器的正向输入端，其特征在于，所述启动电路包括启动控制电路和启动控制管，所述启动控制电路包括比较器和上电信号检测电路，所述上电信号检测电路包括电容Ｃ１、两个共栅极的第三ＰＭＯＳ型晶体管Ｍ３和第四ＰＭＯＳ型晶体管Ｍ４以及第五ＮＭＯＳ型晶体管Ｍ５，其中，将Ｍ３和Ｍ５的栅极和漏极连接到比较器的正向输入端，Ｍ３和Ｍ４的源极接...
【技术特征摘要】
一种带有启动电路的带隙电压基准电路，在所述带隙电压基准电路中，共栅极的第一PMOS晶体管M1和第二PMOS晶体管M2与运算放大器构成反馈电路，M1和M2的源极接电源，M1和M2的栅极接运算放大器的输出端，M1的漏极连接运算放大器的负向输入端，M2的漏极连接运算放大器的正向输入端，其特征在于，所述启动电路包括启动控制电路和启动控制管，所述启动控制电路包括比较器和上电信号检测电路，所述上电信号检测电路包括电容C1、两个共栅极的第三PMOS型晶体管M3和第四PMOS型晶体管M4以及第五NMOS型晶体管M5，其中，将M3和M5的栅极和漏极连接到比较器的正向输入端，M3和M4的源极接电源，M5的源极接地，将M4的漏极和电容C1的正极板连接到比较器的反向输入端，并将C1的负极板接地；...
【专利技术属性】
技术研发人员：高彬，
申请(专利权)人：三星半导体中国研究开发有限公司，三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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