一种提高带隙基准源输出电源抑制比的方法及相应的电路技术

本发明专利技术提供一种提高带隙基准源输出电源抑制比的方法及相应的电路，属于微电子模拟集成电路设计领域。本发明专利技术利用带隙基准核心电路在误差放大器的环路控制内，且误差放大器的电源电压抑制比等于或近似为１，实现带隙基准源宽电源电压范围、低功耗、自偏置等特性，本发明专利技术带隙基准源产生电路通过对其中运算放大器电路的合适设计，在其他性能保证的情况下，显著提高带隙基准源的电源抑制比。电路实现复杂度低，可在相同代价的情况下实现更有竞争力的性能，具有很高的实际应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子模拟集成电路设计领域，具体涉及一种提高带隙基准源输出电 源抑制比的方法及相应的电路。
技术介绍
基准源产生电路由于其能输出对电源电压和温度变化不敏感的精确电压而作为 系统的基础性搭建模块而得到了广泛地应用。相较其它基准源产生电路，带隙基准源产生 电路由于与标准CMOS工艺完全兼容，而成为现代集成电路设计中的主流选择。随着如今的科学技术的日益发展，对其中带隙基准源的温度漂移特性，电源电压 抑制比，噪声特性，初始精度等性能要求也越来越高，其中，带隙基准源的电源电压抑制比 (PSRRvref)作为关键的性能指标，引起了业界广泛的研究和讨论。
技术实现思路
本专利技术提供一种新的带隙基准源的电源电压抑制比的方案，可保证带隙输出能有 很好的电源抑制比性能。本专利技术提供的技术方案为一种提高带隙基准源输出电源抑制比的方法，如图1所示，具体为，将带隙基准核 心电路在误差放大器的环路控制内，误差放大器的电源电压抑制比(PSRRtrta)等于1。本专利技术提供上述方法相应的电路，如图6所示，具体包括启动电路、带隙基准源核 心电路、误差放大器和驱动管，其中，误差放大器具有与电源电压一致本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高带隙基准源输出电源抑制比的方法，其特征在于，将带隙基准核心电路控制在误差放大器的环路内，且误差放大器的电源电压抑制比等于或近似为１。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：聂辉，鲁文高，陈中建，赵汗青，方然，王冠男，张雅聪，吉利久，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]