【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体电路
，特别涉及一种参考电压电路。
技术介绍
目前，参考电压电路被广泛应用在集成电路产品中，用来为集成电路产品 提供参考电压。集成电路产品的稳定性直接取决于所述参考电压电路的稳定 性，例如当参考电压电路受到温度、环境等影响提供的参考电压值发生变化， 必然会使得集成电路产品的性能发生变化。参见图1,该图为现有技术中一种参考电压电路原理图。图2是图l对应 的参考电压电路的元器件的剖面示意图。参考图1和图2所示，耗尽型PMOS晶体管Pl的栅极和源极耦接，增强 型PMOS晶体管P2的栅极和漏极耦接，耗尽型PMOS晶体管Pl漏极和增强 型PMOS晶体管P2的源极耦接参考电压器件的输出端。其中，晶体管Pl为耗尽型PMOS晶体管，并且为掩埋沟道工艺，采用N 型多晶硅作为栅极。晶体管P2为增强型PMOS晶体管，并且为表面沟道工艺，采用N型多晶 硅作为栅极。因为在耗尽型PMOS晶体管Pl和增强型PMOS晶体管P2的沟道杂质分 布不同，因此两个晶体管的阈值电压和跨导随温度的变化相差很大。因此上述现有的参考电压电路随温度的变化阈值电压和跨导容易发生变 化，所以...
【技术保护点】
一种参考电压电路，包括第一增强型ＮＭＯＳ晶体管和第二增强型ＮＭＯＳ晶体管，其特征在于，所述第一增强型ＮＭＯＳ晶体管和第二增强型ＮＭＯＳ晶体管同为表面导电沟道型晶体管，且所述第一增强型ＮＭＯＳ晶体管和第二增强型ＮＭＯＳ晶体管的导电沟道完全相同，其中第一增强型ＮＭＯＳ晶体管的栅极为Ｐ型掺杂，第二增强型ＮＭＯＳ晶体管的栅极为Ｎ型掺杂。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张美玲，胡林辉，陆云，程坤，
申请(专利权)人：BCD半导体制造有限公司，
类型：实用新型
国别省市：KY[开曼群岛]
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