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本实用新型提供一种参考电压电路，包括第一增强型ＮＭＯＳ晶体管和第二增强型ＮＭＯＳ晶体管，所述第一增强型ＮＭＯＳ晶体管和第二增强型ＮＭＯＳ晶体管同为表面导电沟道型晶体管，且所述第一增强型ＮＭＯＳ晶体管和第二增强型ＮＭＯＳ晶体管的导电沟道完全相...
该专利属于ＢＣＤ半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ＢＣＤ半导体制造有限公司授权不得商用。

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