电子元件的承载结构制造技术

技术编号:5100522 阅读:226 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种电子元件的承载结构,包括有承载体、介面层、绝缘线路以及金属层所构成,该承载体是以塑料射出形成,其上更形成有反射杯,该承载体经过蚀刻、触媒化与活化后,通过无电解电镀或化学法将金属镍或铜沉积在承载体的表面以形成介面层,随后使用激光剥离部分介面层以形成局部绝缘线路,接着进行电镀铜、镍、银或金等金属层于介面层上,而完成该高反射导体金属的塑料承载结构。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及到电子元件或导线架制备技术,具体而言指一种具高反射导体金属的承载结构。
技术介绍
现有的发光二极管导线架,普遍现有以导电材质的料片为主(如铜、铜合金或铝等),经过冲压形成导线架的胚料,随后以电镀处理,在导线架胚料表面电镀一层具有高导电性的金属层(如锡、银、金等),随后利用嵌入式塑料射出成型技术(Insert Molding),形成杯状的发光二极管导线架,但该杯状导线架的反射区域无法有效提供金属层的反射效果。此外,也有以激光直接活化(Laser Direct Structuring ,LDS)制程应用于发光二极管的导线架上,此制程缺点为需使用激光直接活化制程专用材料,此材料射出后,其电极与反射区域使用激光进行表面活化,因激光会使表面粗糙化,且激光的面积过大,在斜面上因其激光有角度与制程时间等限制,以及激光活化后的粗糙度会导致其原先设计的反射角度与反射亮度有所差异,另,3D立体激光加工设备昂贵,加工时间太长,成本费用过高。再者,现有者另外还有以低温共烧多层陶瓷(Low-Temperature Co-firedCeramics, LTCC),因为陶瓷与硅的材质类似,可与芯片连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子元件的承载结构,其特征在于:包含有 承载体; 介面层,以无电解电镀沉积于承载体的表面; 绝缘线路,以激光剥离部份介面层以形成所需绝缘线路; 金属层,以电镀或化学法沉积导体金属于介面层上。

【技术特征摘要】
1、一种电子元件的承载结构,其特征在于包含有承载体;介面层,以无电解电镀沉积于承载体的表面;绝缘线路,以激光剥离部份介面层以形成所需绝缘线路;金属层,以电镀或化学法沉积导体金属于介面层上。2、 如权利要求l所述的电子元件的承载结构,其特征在于所述承载体为包含 预先参杂金属触媒的塑料、或包含预先参杂有机物的塑料所制得,进而该承 载体包括使用化学蚀刻或喷砂使表面粗糙化,再施以无电解电镀制程前的活 化步骤。3、 如权利要求l所述的电子元件的承载结构,其特征在于所述承载体为无参 杂金属触媒的塑料、或无参杂有机物的塑料所制得,进而该承载体包括使用 预浸、化学蚀刻或喷砂使表面粗糙化,再施以触媒化,其后再进行无电解电 镀制程前的活化步骤。4、 如权利要求l所述的电子元件的承载结构,其特征在于所述介面层为化学 镍或铜金属介面层。5、 如权利要求l所述的电子元件的承载结构,其特征在于所述承载体包括于 表面往下倾斜反射面以形成反射杯,且该承载体表面与反射面界定的夹角是 介于15度 85度之间。6、 如权利要求l所述的电子元件的承...

【专利技术属性】
技术研发人员:江振丰
申请(专利权)人:光宏精密股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:71[]

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