晶片封装体及其制造方法技术

一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括基板及残余切割区，基板具有一接垫区和一元件区，残余切割区位于基板周围；信号导电垫结构及ＥＭＩ接地导电垫结构，设置于接垫区上；第一及第二开口，深入基板中以暴露出信号导电垫结构及ＥＭＩ接地导电垫结构；第一及第二导电层，分别位于第一及第二开口内并分别电性接触信号导电垫结构及ＥＭＩ接地导电垫结构；其中，第一导电层及信号导电垫结构与残余切割区的边缘相距一间隙，且第二导电层及／或ＥＭＩ接地导电垫结构的一部分延伸至残余切割区的边缘；及第三导电层，其围绕残余切割区的周围，以与第二导电层及／或ＥＭＩ接地导电垫结构电性连接。本发明专利技术能够较好地实现对电磁干扰的屏蔽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种晶片封装体，特别有关于一种具有防电磁干扰(EMI)的屏蔽结 构的。
技术介绍
随着晶片封装体尺寸日益轻薄短小化及晶片的信号传递速度的日益增加，电磁干 扰(electromagnetic interference, EMI)对于晶片封装体的影响也更趋严重。在晶片封 装体持续缩小化的同时，要兼顾形成适合的防电磁干扰(EMI)的屏蔽结构更为不容易，例 如常会遇到EMI接脚位置受限或制程过于繁琐昂贵等问题。因此，业界亟需一种新颖的晶片封装体及其制作方法，以克服上述问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种晶片封装体，包括半导体基板及残余切割区，半导体基板具有至 少一接垫区和至少一元件区，残余切割区位于半导体基板周围；信号导电垫结构及EMI接 地导电垫结构，设置于接垫区上；第一开口及第二开口，深入半导体基板中以暴露出信号导 电垫结构及EMI接地导电垫结构；第一导电层及第二导电层，分别位于第一开口及第二开 口内并分别电性接触信号导电垫结构及EMI接地导电垫结构；其中，第一导电层及信号导 电垫结构与残余切割区的边缘相距一间隙，且第二导电层及/或EMI接地导电垫结构的一 部分延伸至残本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片封装体，其特征在于，包括：一半导体基板及一残余切割区，该半导体基板具有至少一接垫区和至少一元件区，该残余切割区位于该半导体基板周围；一信号导电垫结构及一ＥＭＩ接地导电垫结构，设置于该接垫区上；一第一开口及一第二开口，深入该半导体基板中以暴露出该信号导电垫结构及该ＥＭＩ接地导电垫结构；一第一导电层及一第二导电层，分别位于该第一开口及该第二开口内并分别电性接触该信号导电垫结构及该ＥＭＩ接地导电垫结构；其中，该第一导电层及该信号导电垫结构与该残余切割区的边缘相距一间隙，且该第二导电层及／或该ＥＭＩ接地导电垫结构的一部分延伸至该残余切割区的边缘；及一第三导电层，其围绕该残余切割区的周围，以与该...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：蔡佳伦，刘沧宇，郑家明，
申请(专利权)人：精材科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]