【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光半导体元件的制造方法、以及光半导体元件保护层形成用组合物。技术背景公知在光半导体元件的制造过程中,在用激光形成分离沟槽以前,形成保护层 (保护膜)的技术。作为一例,在将在基板上形成的第III族氮化物系化合物半导体元件进行分离从 而得到一个一个的第III族氮化物系化合物半导体元件的制造方法中,提出了第III族氮 化物系化合物半导体元件的制造方法,其特征在于具有以下工序成为分离线上的第III 族氮化物系化合物半导体层仅残留靠近上述基板一侧的电极形成层的状态、或者成为没有 分离线上的第III族氮化物系化合物半导体层的状态的半导体层除去工序;形成覆盖基板 表层、且通过后续工序能够除去的保护膜的保护膜形成工序;沿着分离线扫描激光束从而 形成分离沟槽的激光扫描工序;除去上述保护膜和由激光束扫描产生的不需要物的保护膜 等除去工序,使沿着分离线用由激光束扫描形成的分离沟槽将基板逐个元件地进行分离, 从而制出一个一个的第III族氮化物系化合物半导体元件(专利文献1)。该文献记载的方法,通过形成保护膜,可防止因激光扫描产生的熔融物等附着于 半导体元件,另外,可防 ...
【技术保护点】
一种光半导体元件的制造方法,其特征在于,是含有基板和形成于该基板上的半导体层的光半导体元件的制造方法,该方法包含以下工序:向在基板上形成的半导体层的表面涂布保护层形成用组合物,从而形成保护层的保护层形成工序;从所述保护层的上方照射激光,从而形成比所述保护层和半导体层的厚度之和深的1个以上分离沟槽的分离沟槽形成工序;以及除去在形成所述分离沟槽时生成的附着物的附着物除去工序,所述保护层形成用组合物含有硅氧烷系聚合物以及有机溶剂。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:野边洋平,加藤仁史,小林薰平,宫本智明,住谷孝治,小久保辉一,
申请(专利权)人:JSR株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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