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本发明提供光半导体元件的制造方法、及该元件保护层形成用组合物。提供即使为了除去在形成用于分离元件单元的分离沟槽时产生的附着物而使用酸时，也不会对半导体层造成不良影响，并且耐酸性以及耐断裂性优异的保护层形成用组合物，以及使用该组合物的光半导体...
该专利属于ＪＳＲ株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过ＪＳＲ株式会社授权不得商用。

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