在块体半导体材料上用于形成隔离的鳍部结构的方法技术

本申请提供一种在块体半导体材料上用于形成隔离的鳍部结构的方法。一种方法包括在块体衬底上形成第一半导体材料层和在该第一半导体材料层上形成第二半导体材料层。该方法进一步包括在该第二半导体材料层上创造鳍状图案掩膜，以及使用该鳍状图案掩膜作为蚀刻掩膜，各向异性地蚀刻该第二半导体材料层和该第一半导体材料层。该各向异性蚀刻导致从该第二半导体材料形成鳍部和位于该鳍部下方的该第一半导体材料的暴露区域。该方法进一步包括在位于该鳍部下方的该第一半导体材料的暴露区域中形成隔离层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例一般是关于半导体器件结构和相关的制作方法，且本专利技术的实施 例尤其是关于用于形成具有导电鳍部的半导体器件结构的方法，其中，该导电鳍部与块体 半导体衬底电性隔离。
技术介绍
例如金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的晶体管为大部分半导体器件的核 心建构区块。一些半导体器件(例如高性能的处理器器件)可包含数百万个晶体管。对于 这种器件而言，降低晶体管尺寸、并因而增加晶体管密度，一直都是半导体制造工业的高优 先项目。鳍式场效应晶体管(FinFET)为一种可使用非常小尺寸工艺而制作的半导体类 型。图1为鳍式场效应晶体管100的简化透视图，鳍式场效应晶体管100是形成在半导体 晶片衬底102上。鳍式场效应晶体管是因为其使用一个或多个导电鳍部104而命名。如图 1所显示的，每个鳍部104均在鳍式场效应晶体管100的源极区域106和漏极区域108之间 延伸。鳍式场效应晶体管100包含跨越鳍部104而形成的栅极结构110。该鳍部104与栅 极结构110接触的表面区域决定鳍式场效应晶体管100的有效信道(effective channel)。鳍式场效应晶体管器件一直以来都是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在块体衬底上制作半导体器件的方法，该方法包括：在该块体衬底上形成第一半导体材料层；在该第一半导体材料层上形成第二半导体材料层；在该第二半导体材料层上创造鳍状图案掩膜；使用该鳍状图案掩膜作为蚀刻掩膜而各向异性地蚀刻该第二半导体材料层和该第一半导体材料层，产生从该第二半导体材料形成鳍部和位于该鳍部下方的该第一半导体材料的暴露区域；以及在位于该鳍部下方的该第一半导体材料的暴露区域中形成隔离层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：W马赞拉，H阿迪卡里，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]