多层介质基板及半导体封装制造技术

本发明专利技术提供一种多层介质基板，包括：第一空腔谐振抑制电路（２０Ａ），该第一空腔谐振抑制电路（２０Ａ）抑制第一信号波的空腔谐振；以及第二空腔谐振抑制电路（２０Ｂ），该第二空腔谐振抑制电路（２０Ｂ）抑制频率不同于第一信号波的第二信号波的空腔谐振。所述两个空腔谐振抑制电路分别包括：开口部（５０Ａ、５０Ｂ），该开口部（５０Ａ、５０Ｂ）形成于表层接地导体１８；阻抗变换器，该阻抗变换器的长度为信号波的基板内有效波长的约１／４的奇数倍；前端短路的介质传输线路，该前端短路的介质传输线路的长度为信号波的基板内有效波长的约１／４的奇数倍；耦合开口，该耦合开口形成于内层接地导体；以及电阻，该电阻形成于耦合开口，从而得到抑制多个频率信号波的空腔谐振的多层介质基板。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在介质基板上形成有用于装载在微波带或毫米波带等高频带中 进行动作的半导体器件的电磁屏蔽空间(以下，作为空腔)的多层介质基板及半导体封装。
技术介绍
装载有在微波带、毫米波带等高频带中进行动作的高频半导体器件的高频封装 中，基于其对环境的耐受性和动作的稳定性，高频半导体器件通常装载在用盖板、密封圈、 接地导体等实现气密及电屏蔽的空腔内。然而，在取决于盖板等构件的空腔尺寸成为自由空间传播波长的约1/2或其整数 倍的频带中，会发生谐振，从而使得空腔内的半导体器件的动作和传输线路的特性不稳定。 尤其是在毫米波带(30GHz 300GHz)中进行动作的高频半导体器件，由于器件的尺寸接近 信号频率所对应的传播波长的尺寸，因此，用于收纳器件的空腔的尺寸难以设为信号频率 所对应的传播波长的1/2以下，从而容易产生高次谐振模式。尤其是在76GHz带中进行动 作的毫米波雷达，在该频带中，由于自由空间传播波长成为4mm左右，装载多个1 3mm见 方的高频电路所需的空腔大小成为IOmm左右，因此，容易发生空腔谐振。以往，为了抑制这种空腔谐振，提出了以下的结构。即，包括开口部，该开口部形 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层介质基板，在介质基板上形成空腔，在空腔内安装半导体器件，该多层介质基板具备空腔谐振抑制电路，包括：开口部，该开口部形成于所述空腔内的介质基板上所配置的表层接地导体；阻抗变换器，该阻抗变换器形成于介质基板内，通过所述开口部与所述空腔电耦合，其长度为信号波的基板内有效波长的约１／４的奇数倍；前端短路的介质传输线路，该前端短路的介质传输线路形成于介质基板内，其长度为信号波的基板内有效波长的约１／４的奇数倍；耦合开口，该耦合开口形成于所述阻抗变换器和介质传输线路的连接部中的内层接地导体；以及电阻，该电阻形成于所述耦合开口，所述多层介质基板的特征在于，包括：第一空腔谐振抑制电路，该第一空腔谐振抑...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：八十冈兴祐，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]