一种Ｔｉ３ＳｉＣ２基粉体的制备方法技术

本发明专利技术提供一种Ｔｉ３ＳｉＣ２基粉体的制备方法。本发明专利技术采用（１）将钛粉和聚碳硅烷按照重量比（０．７１～２．４８）∶１混合并溶于有机溶剂，搅拌烘干使其均匀混合；（２）对烘干的粉料低温裂解，温度为８００℃～１２００℃，保温时间０．５～２小时，升温速度２～７℃／ｍｉｎ，获得初步反应物；（３）对初步反应物高温处理，温度为１４００～１６００℃，保温时间０．５～２小时，升温速度２～７℃／ｍｉｎ。根据原料组分重量比不同，获得Ｔｉ３ＳｉＣ２基粉体材料。结果显示，钛粉基本转化为Ｔｉ３ＳｉＣ２。相比传统方法，高纯Ｔｉ３ＳｉＣ２粉体纯度较高，粒度较小，结晶度较高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种Ti3SiC2基粉体的制备方法，属于新材料

技术介绍
作为一种新型三元层状化合物，Ti3SiC2属于六方晶系，由平面Si层被Ti6C八面体 连接起来构成层状结构。Ti3SiC2不仅具有陶瓷材料耐高温、抗氧化、高强度等优点，还具有 金属材料良好的导电、导热、可加工性、塑性等优点。更有意义的是，它具有比传统的固体润 滑剂石墨、二硫化钼更低的摩擦系数和良好的自润滑性能。Ti3SiC2与SiC、Al2O3等其他材 料合成的复合材料，具有良好的物理化学性能。目前，Ti3SiC2粉体的制备方法主要有机械合金法、固液反应、热处理、无压烧结等。 由于钛无法完全转化为Ti3SiC2，这些方法制备的Ti3SiC2粉体纯度不高，主要杂质是钛的碳 化物和氧化物等。Luo Yongming等研究了聚碳硅烷和钛粉混合高温裂解，其制备的粉体材 料中只有少量的Ti3SiC2相，主要是TiC、Ti5Si3C等杂质相，无法获得纯度较高的Ti3SiC2粉 体。
技术实现思路
本专利技术的目的就是通过改善工艺条件，提供一种工艺简单、方便应用、可批量生产 的高纯Ti3SiC2粉体和Ti3SiC2/本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ｔｉ↓［３］ＳｉＣ↓［２］基粉体的制备方法，其特征在于按照重量比钛粉：聚碳硅烷＝（０．７１～２．４８）∶１，包括下述步骤：（１）首先将聚碳硅烷溶于有机溶剂，然后将钛粉放置于聚碳硅烷的有机溶剂中，搅拌使其混合均匀。升温搅拌使有机溶剂挥发充分直至溶液变成粘稠状，然后将其完全烘干；（２）在氩气气氛保护下将烘干的粉料进行裂解。聚碳硅烷发生无机化，并在裂解过程中和钛粉进行初步反应；（３）取出裂解的产物，研磨成细粉。在气氛保护下将其进行高温处理。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨金山，董绍明，丁玉生，王震，周海军，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]