【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种。技术背景目前，随着半导体工艺进入深亚微米时代，半导体器件有源区之间的隔离层大 多采用浅沟槽隔离6TI)工艺来制作。现有技术中在晶圆上浅沟槽隔离结构的制作过程示意图请参阅图Ia至图le，形 成方法，包括以下步骤步骤11、请参阅图la，在半导体衬底100上依次形成垫氧化层101和刻蚀终止 层102，其中半导体衬底为硅或者绝缘体上硅；垫氧化层101—般为二氧化硅，采用热氧 化的方法形成；刻蚀终止层102—般为氮化硅层，是一层坚固的掩膜材料。步骤12、请参阅图lb，在刻蚀终止层的表面形成图案化的光阻胶(图中未显 示)，定义隔离区的位置，然后以图案化的光阻胶为掩膜，依次刻蚀刻蚀终止层、垫氧化 层以及半导体衬底，并且继续刻蚀半导体衬底到一定深度，形成浅沟槽。步骤13、请参阅图lc，在浅沟槽内表面形成衬氧化层103，一般采用热氧化的 方法。步骤14、请参阅图ld，在沟槽内部以及刻蚀终止层表面，采用化学气相沉积的 方法进行沟槽氧化物104的填充。步骤15、请参阅图le，进行化学机械抛光(CMP)，平坦化所述填充的沟槽氧化 物1...
【技术保护点】
一种浅沟槽隔离结构的形成方法，所述结构在反应腔内形成，包括：在半导体衬底上依次形成垫氧化层和刻蚀终止层；依次刻蚀刻蚀终止层、垫氧化层以及半导体衬底，形成浅沟槽；在浅沟槽内表面形成衬氧化层；在浅沟槽内的衬氧化层及刻蚀终止层表面形成前层沟槽氧化物；在所述前层沟槽氧化物表面沉积第一顶层沟槽氧化物；在所述第一顶层沟槽氧化物表面进行过渡沉积沟槽氧化物，所述过渡沉积沟槽氧化物时的沉积速率大于第一顶层沟槽氧化物的沉积速率，并且小于第二顶层沟槽氧化物的沉积速率；在所述过渡沉积的沟槽氧化物表面沉积第二顶层沟槽氧化物；平坦化所填充的沟槽氧化物至显露出刻蚀终止层，并去除刻蚀终止层和垫氧化层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：袁宏韬，李敏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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