非易失性存储装置及其写入方法制造方法及图纸

提供一种非易失性存储装置（１００），可以实现稳定的动作，具备电阻变化元件。非易失性存储装置（１００）具备：存储单元（Ｍ１１１、Ｍ１１２、…），对应于多条字线（ＷＬ０、ＷＬ１、…）与多条位线（ＢＬ０、ＢＬ１、…）之间的立体交叉点来设置，根据电信号使电阻值可逆地变化；行选择电路.驱动器（１０３），具备对字线（ＷＬ０、ＷＬ１、…）施加指定电压的晶体管（１０３ａ）；列选择电路.驱动器（１０４），具备对位线（ＢＬ０、ＢＬ１、…）施加指定的电压的晶体管（１０４ａ）；基板偏压电路（１１０），对这些晶体管（１０３ａ、１０４ａ）的基板按正向施加偏压电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，该非易失性存储装置具备根据电信 号使电阻值可逆地变化的所谓电阻变化型非易失性存储元件(电阻变化元件)。
技术介绍
近年来，随着数字技术的进步，便携式信息设备及信息家电等的电子设备更加高 功能化。因此，非易失性存储元件的大容量化、写入功率的减低、写入与读出时间的高速化 及长寿命化等的要求正在增高。针对此类要求，在现有使用浮栅的闪速存储器的微细化方面一般认为存在限制。 另一方面，在使用电阻变化层来作为存储部材料的电阻变化型非易失性存储元件的场合， 因为可以采用将电阻变化层按下部电极和上部电极夹在中间的那种简单结构的存储元件 来构成，所以人们期待进一步的微细化、高速化及低消耗电力化等。作为这种使用电阻变化元件的非易失性存储装置之一，人们提出了一种所谓的交 叉点型非易失性存储装置(例如参见专利文献1。)。该非易失性存储装置具备多个存储单 元(电阻变化元件)，该多个存储单元对应于相互平行所配置的多条字线以及其配置为和 那些字线交叉的多条位线的交点，设置为矩阵状。各存储单元具备电阻变化层，利用该电阻 变化层的电阻变化进行信息的读写，该电阻变化层按照对字线和位线之间供给的电信号其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储装置，其特征为，具备：基板；多条第１布线，相互平行地形成于上述基板上；多条第２布线，形成于上述多条第１布线的上方，以使在与上述基板的主面平行的面内相互平行且与上述多条第１布线立体交叉；存储单元阵列，具备多个电阻变化元件，该多个电阻变化元件对应于上述多条第１布线及上述多条第２布线的立体交叉点来设置，介于上述第１布线和上述第２布线之间，根据对上述第１布线及上述第２布线间施加的电压的极性，电阻状态在低电阻状态和高电阻状态之间可逆地进行变化；选择电路，具备第１驱动电路和第２驱动电路，通过上述第１驱动电路及上述第２驱动电路从上述存储单元阵列中选择至少一个电阻变化元件，该第１驱动电路具备对...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：高木刚，村冈俊作，东亮太郎，青野邦年，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]