半导体光传递器件制造技术

技术编号:5008116 阅读:154 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种半导体光传递器件,属于电子器件领域。发光二极管正极与达林顿晶体管共用公用极,发光二极管负极外接一个限流电阻R2,与达林顿晶体管发射极构成回路,达林顿晶体管接收极接一个限流电阻R1。优点在于:反射负载信号的结构设计与传统的直接面对面的发射接受结构有明显的不同。对于动态负载发射接受在同侧的条件下,采用动态负载反射信号的发射与接受集成化的结构设计,以满足控制信号的采集和测试。光发射、光反射传导、光接收一体化集成封装的工艺设计,开创了光发射、光敏接收的先河,打破了传统的面对面直接对射的传统工艺的束缚,为动态负载采集和测试开辟新的途径。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电子器件领域,能应用于自动控制、导航定位终端系统。
技术介绍
目前,以光为媒介传输电信号的一种电-光-电转换器件,组件的发展越来越多, 而目前工艺设计采用面对面的发射接收结构,随着科学技术的飞速发展,此种结构满足不 了动态负载的高质量传感。而动态的、多变的负载传感的市场需求越来越广泛。
技术实现思路
本技术提供一种半导体光传递器件,以解决面对面的发射接收结构满足不了 动态负载的高质量传感的问题。本技术采取的技术方案是发光二极管正极与达林顿 晶体管共用公用极,发光二极管负极外接一个限 流电阻R2,与达林顿晶体管发射极构成回 路,达林顿晶体管接收极接一个限流电阻R1。达林顿晶体管是由两个PN结组合而成的,它与普通三极管结构相类似,不同之 处是达林顿晶体管必须有一个对光敏感的PN结,作感光面,一般用集电结作为受光结,在 它把光信号变成电信号的同时,还放大了信号电流,因此具有更高的灵敏度,更好的输出特 性。发射光源与接收光敏组合后,在组件的输入端加经调制的控制程序的电信号,使 发光源产生动态发光,光的强度取决于激励电流的大小,此光照射到动态负载反射体后垂 直反射到光敏管的受光面上,因光电效应而产生了光电流。由光敏接收放大输出端引出,这 样就实现了电_光-电的转换,达到了无触点输入与输出在电气上完全隔离的目的。本技术优点在于反射负载信号的结构设计与传统的直接面对面的发射接受 结构有明显的不同。对于动态负载发射、接受在同侧的条件下,采用动态负载反射信号的发 射与接受集成化的结构设计,以满足控制信号的采集和测试。光发射、光反射传导、光接收 一体化集成封装的工艺设计,开创了光发射、光敏接收的先河,打破了传统的面对面直接对 射的传统工艺的束缚,为动态负载采集和测试开辟新的途径。附图说明图1是本技术电路原理图。具体实施方式发光二极管5正极与达林顿晶体管4共用公用极1,发光二极管负极外接一个限流 电阻R2,与达林顿晶体管发射极2构成回路,达林顿晶体管接收极3接一个限流电阻Rl。权利要求一种半导体光传递器件,其特征在于发光二极管正极与达林顿晶体管共用公用极,发光二极管负极外接一个限流电阻R2,与达林顿晶体管发射极构成回路,达林顿晶体管接收极接一个限流电阻R1。专利摘要本技术涉及一种半导体光传递器件,属于电子器件领域。发光二极管正极与达林顿晶体管共用公用极,发光二极管负极外接一个限流电阻R2,与达林顿晶体管发射极构成回路,达林顿晶体管接收极接一个限流电阻R1。优点在于反射负载信号的结构设计与传统的直接面对面的发射接受结构有明显的不同。对于动态负载发射接受在同侧的条件下,采用动态负载反射信号的发射与接受集成化的结构设计,以满足控制信号的采集和测试。光发射、光反射传导、光接收一体化集成封装的工艺设计,开创了光发射、光敏接收的先河,打破了传统的面对面直接对射的传统工艺的束缚,为动态负载采集和测试开辟新的途径。文档编号H01L25/00GK201570497SQ20092009467公开日2010年9月1日 申请日期2009年11月6日 优先权日2009年11月6日专利技术者周建才, 李雁萍 申请人:长春半导体有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体光传递器件,其特征在于:发光二极管正极与达林顿晶体管共用公用极,发光二极管负极外接一个限流电阻R2,与达林顿晶体管发射极构成回路,达林顿晶体管接收极接一个限流电阻R1。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:周建才李雁萍
申请(专利权)人:长春半导体有限公司
类型:实用新型
国别省市:82[中国|长春]

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