边缘不对称倒角单晶片制造技术

边缘不对称倒角单晶片属于半导体器件制造技术领域。现有单晶片边缘倒角为对称倒角，当将单晶片一侧的扩散层去除后，边缘倒角变成不对称倒角，这种不对称倒角应力大，容易导致崩边、暗纹碎片，碎片率上升，成本增加。本实用新型专利技术所涉及的单晶片是一种在半导体器件制造过程中的中间产品，由经滚圆加工的硅单晶棒切割而成，呈圆片状，被划分为两层，即去除层和保留层，单晶片边缘倒角为不对称倒角，并且，与单晶片划分为去除层和保留层相对应，单晶片边缘倒角也划分为两部分，即去除层倒角和保留层倒角，保留层倒角为对称倒角。本实用新型专利技术应用于半导体器件制造领域中的衬底片加工工序中。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术之边缘不对称倒角单晶片是一种在半导体器件芯片制作过程中的中间产品，属于半导体器件制造

技术介绍
在磨削加工领域，将工件边缘棱角去除的工艺称作倒角，经过倒角的工件边缘形状也称为倒角。从倒角剖面看，倒角形状有圆弧状、斜线状等。对于薄片状工件，当边缘两侧均有倒角并且倒角形状相同时，构成一种对称倒角，边缘两侧的倒角相对于位于薄片状工件一半厚度处且平行于薄片状工件表面的平面对称。 将经滚圆加工的硅单晶棒切割成单晶片，单晶片边缘表面比较粗糙，存在棱角、毛剌、崩边等缺陷，甚至还会出现裂缝以及其他缺陷，导致单晶片边缘机械强度降低，还有颗粒沾污。这就需要将单晶片边缘倒角以消除所述缺陷。见图l所示，倒角就是磨削单晶片1边缘，获得弧形倒角2，或者梯形倒角3，见图2所示，在单晶片加工领域分别称为R型倒角、T型倒角，都属于对称倒角，是单晶片普遍采用的两种类型倒角。倒角的顶点到过倒角末端且垂直于单晶片表面的直线的距离h = T/2， T为单晶片厚度。 作为制作半导体芯片的衬底片，要求单晶片在经过扩散后将一侧的扩散层去除，目前使用的具有R型倒角或者T型倒角的单晶片在经过所述去除加工后，此时的单晶片边缘两侧倒角相对于位于此时的单晶片一半厚度处且平行于单晶片表面的平面不对称，构成不对称倒角，见图3、图4所示，这种不对称倒角应力大，容易导致崩边、暗纹碎片，碎片率上升，成本增加。
技术实现思路
为了解决单晶片在后续扩散层去除加工后出现的崩边和暗纹碎片问题，降低碎片率，降低生产成本，我们提出了一项名为边缘不对称倒角单晶片的技术方案。 本技术是这样实现的，所涉及的单晶片是一种在半导体器件制造过程中的中间产品，由经滚圆加工的硅单晶棒切割而成，呈圆片状，被划分为两层，见图5所示，即去除层4和保留层5，其特征在于，单晶片边缘倒角为不对称倒角，并且，与单晶片被划分为去除层4和保留层5相对应，单晶片边缘倒角也划分为两部分，即去除层倒角6和保留层倒角7，保留层倒角7为对称倒角。 本技术之技术方案的技术效果在于，边缘具有不对称倒角的单晶片在经过扩散工艺后，需要去除的一侧扩散层就是去除层4，去除该去除层4后的单晶片只有保留层5，这时的单晶片边缘倒角就只有保留层倒角7，而保留层倒角7相对于位于保留层5 —半厚度处且平行于单晶片表面的平面对称，所以保留层倒角7是一种对称倒角，见图6所示，因而因应力的原因导致的崩边、暗纹碎片现象减少，提高了成品率，降低了成本。在实际生产加工过程中，由于边缘应力造成的碎片率降低至0.3%，在后续的芯片制造过程中碎片率降低至0. 75%。附图说明图1是现有技术之单晶片边缘倒角中的R型对称倒角示意图。图2是现有技术之单晶片边缘倒角中的T型对称倒角示意图。图3是现有技术之单晶片去除一侧扩散层之后边缘R型对称倒角变为不对称倒角示意图。图4是现有技术之单晶片去除一侧扩散层之后边缘T型对称倒角变为不对称倒角示意图。图5是本技术之单晶片边缘倒角为一种不对称倒角示意图，该图兼做摘要附图。图6是本技术之单晶片去除层被去除后边缘倒角为一种对称倒角示意图。具体实施方式本技术的是这样具体实现的，所涉及的单晶片是一种在半导体器件制造过程中的中间产品，是用于制作芯片的衬底片中的扩散抛光片(DW)，由经滚圆加工的硅单晶棒切割而成，呈圆片状，厚度为535+10 ii m，被划分为两层，见图5所示，即去除层4和保留层5，单晶片边缘倒角为不对称倒角，即单晶片边缘倒角相对于位于单晶片一半厚度处且平行于单晶片表面的平面不对称，并且，与单晶片被划分为去除层4和保留层5相对应，单晶片边缘倒角也划分为两部分，即去除层倒角6和保留层倒角7，保留层倒角7为对称倒角，即保留层倒角7相对于位于保留层5 —半厚度处且平行于单晶片表面的平面对称。去除层倒角6 —端与单晶片表面相交，另一端与保留层倒角7的一端相连，保留层倒角7的另一端与单晶片的另一表面相交。单晶片边缘倒角的顶点到过保留层倒角7末端且垂直于单晶片表面的直线的距离^在130士100iim范围内，单晶片边缘倒角的顶点到"过去除层倒角6与单晶片表面的的交点、且垂直于单晶片表面"的直线的距离h2在500± 100 ii m范围内，单晶片边缘倒角的延长线与单晶片表面的夹角9在30±2°范围内。权利要求一种边缘不对称倒角单晶片，所涉及的单晶片是一种在半导体器件制造过程中的中间产品，由经滚圆加工的硅单晶棒切割而成，呈圆片状，被划分为两层，即去除层(4)和保留层(5)，其特征在于，单晶片边缘倒角为不对称倒角，并且，与单晶片划分为去除层(4)和保留层(5)相对应，单晶片边缘倒角也划分为两部分，即去除层倒角(6)和保留层倒角(7)，保留层倒角(7)为对称倒角。2. 根据权利要求l所述的边缘不对称倒角单晶片，其特征在于，去除层倒角(6) —端与单晶片表面相交，另一端与保留层倒角(7)的一端相连，保留层倒角(7)的另一端与单晶片的另一表面相交。3. 根据权利要求l所述的边缘不对称倒角单晶片，其特征在于，单晶片厚度为535士10ym，单晶片边缘倒角的顶点到过保留层倒角(7)末端且垂直于单晶片表面的直线的距离(hl)在130士100iim范围内，单晶片边缘倒角的顶点到过去除层倒角(6)与单晶片表面的的交点、且垂直于单晶片表面的直线的距离(h2)在500士100iim范围内，单晶片边缘倒角的延长线与单晶片表面的夹角(e)在30士2。范围内。专利摘要边缘不对称倒角单晶片属于半导体器件制造
现有单晶片边缘倒角为对称倒角，当将单晶片一侧的扩散层去除后，边缘倒角变成不对称倒角，这种不对称倒角应力大，容易导致崩边、暗纹碎片，碎片率上升，成本增加。本技术所涉及的单晶片是一种在半导体器件制造过程中的中间产品，由经滚圆加工的硅单晶棒切割而成，呈圆片状，被划分为两层，即去除层和保留层，单晶片边缘倒角为不对称倒角，并且，与单晶片划分为去除层和保留层相对应，单晶片边缘倒角也划分为两部分，即去除层倒角和保留层倒角，保留层倒角为对称倒角。本技术应用于半导体器件制造领域中的衬底片加工工序中。文档编号H01L21/02GK201514935SQ20092009395公开日2010年6月23日 申请日期2009年7月7日 优先权日2009年7月7日专利技术者商亚峰, 姚志勇, 常江, 李昱鑫 申请人:吉林华微电子股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种边缘不对称倒角单晶片，所涉及的单晶片是一种在半导体器件制造过程中的中间产品，由经滚圆加工的硅单晶棒切割而成，呈圆片状，被划分为两层，即去除层（４）和保留层（５），其特征在于，单晶片边缘倒角为不对称倒角，并且，与单晶片划分为去除层（４）和保留层（５）相对应，单晶片边缘倒角也划分为两部分，即去除层倒角（６）和保留层倒角（７），保留层倒角（７）为对称倒角。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：商亚峰，姚志勇，常江，李昱鑫，
申请(专利权)人：吉林华微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：22[中国|吉林]