【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体的封装结构。
技术介绍
现有大部分半导体的封装结构中，一般包括金属底板，该金属底板上连接有外接 引线端子，另外两根外接引线端子均悬空设置，三极管芯片的背面则直接粘接在金属底板 上，在封装时，将三极管芯片正面各电极焊接点通过铝丝线键合与悬空的两根外接引线端 子进行键合，然后通过封装工艺包裹成型。在这种半导体的封装结构中，首先，三极管芯片 的背面直接粘接在金属底板上，三极管芯片背面与金属底板之间是导电的；另外，金属底板 上一般只粘接一颗半导体芯片，一颗半导体芯片的功率一般不会太大。 一些对功率等电参 数有特殊需求的半导体器件，如果采用上述封装结构，很难达到要求。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种特殊的半导体的 封装结构，采用这种封装结构的半导体具有较好的功率和较好的散热性。 本技术解决上述技术问题所采用的技术方案为该半导体的封装结构，其特 征在于包括金属衬底，该金属衬底的表面上焊接有一陶瓷片，该陶瓷片的表面上焊接有 相互分隔的由金属材质制成的第一芯片粘接片和第二芯片粘接片，第一芯片粘接片上设置 有第一外接电极端，第二芯片粘...
【技术保护点】
一种半导体的封装结构，其特征在于：包括金属衬底（１），该金属衬底（１）的表面上焊接有一陶瓷片（２），该陶瓷片（２）的表面上焊接有相互分隔的由金属材质制成的第一芯片粘接片（３１）和第二芯片粘接片（３２），第一芯片粘接片（３１）上设置有第一外接电极端（４１），第二芯片粘接片（３２）上设置有第二外接电极端（４２），一悬空的与第一外接电极端（４１）、第二外接电极端（４２）并排设置的第三外接电极端（５３），该第三外接电极端（５３）与金属衬底（１）、第一芯片粘接片（３１）和第二芯片粘接片（３２）均不连接，第一半导体芯片（５１）的背面粘接在第一芯片粘接片（３１）的表面上，第二半导体芯片（...
【技术特征摘要】
一种半导体的封装结构，其特征在于包括金属衬底(1)，该金属衬底(1)的表面上焊接有一陶瓷片(2)，该陶瓷片(2)的表面上焊接有相互分隔的由金属材质制成的第一芯片粘接片(31)和第二芯片粘接片(32)，第一芯片粘接片(31)上设置有第一外接电极端(41)，第二芯片粘接片(32)上设置有第二外接电极端(42)，一悬空的与第一外接电极端(41)、第二外接电极端(42)并排设置的第三外接电极端(53)，该第三外接电极端(53)与金属衬底(1)、第一芯片粘接片(31)和第二芯片粘接片(32)均不连接，第一半导体芯片(51)的背面粘接在第一芯片粘接片(31)的表面上，第二半导体芯片(52)的背面粘接在第二芯片粘接片(32)的表面上，第一半导体芯片(51)的正面通过导电线与第二芯片粘接片(32)的表面相连，第二半导体芯片(52)的正面通过导电线与第三外接电极端(43)相连。2. 根据权利要求1所述的半导体的封装结构，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：段康胜，
申请(专利权)人：宁波明昕微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：97[]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。