【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及液晶面板和液晶显示装置,更详细而言,涉及通过施加电压来使液晶 层弯曲变形从而控制光的透过的液晶面板和液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示以薄型、轻量、低耗电量为特征,广泛应用在各种领域。液晶显示装置的 显示性能随着时间的推移取得显著的进步,如今已达到几乎超越CRT(阴极射线管)的程度。液晶显示装置的显示方式由液晶在液晶单元内怎样排列来决定。一直以 来,作为液晶显示装置的显示方式,例如已知TNCTwisted Nematic,扭转向列)模式、 MVA (Multi-domain Vertical Alignment,多畴垂直取向)模式、IPS Qn-Plain Switching, 面内开关型)模式、OCB(Optically Compensated Birefringence,光学补偿双折射)模式 等各种显示方式。一直以来,使用这样的显示方式的液晶显示装置已得到大量生产。日本国公开专利公报“特开昭57-618号公报(1982年1月5日公开)” 日本国公开专利公报“特开平10-186351号公报(1998年7月14日日本国公开专利公报“特开平10-33 ...
【技术保护点】
一种液晶面板,其特征在于: 包括挟持在一对基板之间的液晶材料和对所述液晶材料施加与基板面平行的电场的电极,所述液晶材料包含p型液晶材料,在无电场施加时所述p型液晶材料与基板面垂直地取向, 所述电极的电极宽度为5μm以下,电极间隔为15μm以下, 所述p型液晶材料的介电常数各向异性Δε与折射率各向异性Δn的积为1.3以上、3.1以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2008-6-18 2008-159390;JP 2009-2-19 PCT/JP2009/01.一种液晶面板,其特征在于包括挟持在一对基板之间的液晶材料和对所述液晶材料施加与基板面平行的电场的 电极,所述液晶材料包含P型液晶材料,在无电场施加时所述P型液晶材料与基板面垂直地 取向,所述电极的电极宽度为5 μ m以下,电极间隔为15 μ m以下,所述P型液晶材料的介电常数各向异性Δ ε与折射率各向异性Δη的积为1. 3以上、 3. 1以下。2.如权利要求1所述的液晶面板,其特征在于所述液晶材料的层厚d与折射率各向异性Δ η的积为0. 3 μ m以上、0. 7 μ m以下。3.如权利要求1或2所述的液晶面板,其特征在于所述液晶材料的弹性常数k33为15pN以...
【专利技术属性】
技术研发人员:石原将市,樱井猛久,神崎修一,
申请(专利权)人:夏普株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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