本发明专利技术公开了一种多畴垂直取向液晶显示装置，包括相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板的表面形成有像素电极和狭缝，所述狭缝将像素电极分割为电气上不连接的至少两部分；所述第一基板上还形成有耦合电极；所述第二基板的表面形成有公共电极和凸起物；其中，所述耦合电极和所述凸起物相对应。本发明专利技术提供的多畴垂直取向液晶显示装置，可以通过耦合电极实现多畴显示，且不影响开口率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种多畴垂直取向液晶显示装置，尤其涉及一种带耦合电极的多 畴垂直取向液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示器(liquid crystal display, LCD)是目前最被广泛使用的一种平 面显示器，具有低功耗、外型薄、重量轻以及低驱动电压等特征。请参见图l， 一 般而言，液晶显示装置相对设置的第一基板(阵列基板)2，第二基板(彩膜基板) 3以及提供驱动控制的控制电路板4。因为液晶本身不发光，所以液晶显示装置一 般还包括背光源l。薄膜晶体管液晶显示器向着高对比度、无灰阶反转、高亮度、高色饱和度、 快速响应、以及广视角等方向发展。目前常见的广视角技术包括扭转向列型液 晶(TN)加上广视角膜(wide viewing film)、共平面切换式(In-plane Switching, IPS)液晶显示器、边际场切换式(Fringe Field Switching, FFS)液晶显示器， 以及多域垂直取向式(Multi-domain Vertical Alignment, MVA)液晶显示器。对于己知的MVA技术液晶显示器而言，由于其通过多区域配向技术使得每个 像素中的液晶分子呈多方向排列，使得液晶显示装置能够达到广视角要求。然而， 在VA技术中，为了产生斜向电场及使液晶分子产生预倾角，液晶盒的上基板上制 造了凸起物(Protrution)。图2是现有多畴垂直取向液晶显示装置的子像素分割示意 图，图3是现有多畴垂直取向液晶显示面板剖面图，请参见图2和图3，多畴垂直取向 液晶显示面板包括相对设置的第一基板2、第二基板3以及夹在两基板间的液晶层7。 其中，第一基板2上形成有透明电极，其中，狭缝(slit) 9将透明电极分为不同区 块，使透明电极成为不同的像素电极5。第二基板3上形成有公共电极6，公共电极6 上形成有凸起物(protrution) 10，其作用为引导液晶分子8取向。在液晶面板显示 亮态画面时，光在凸起物区域的透过率很低，而当显示暗画面时，凸起物处又易 产生漏光，从而降低了对比度。为了改善上述的色偏问题，可以将单一像素区分为两个不同电压区域，也就 是说单一像素使用两个彼此电性绝缘的像素电极，通过驱动使两个彼此电性绝缘 的像素电极具有不同的电压。其中，耦合电极法是一简便可行的方法，要实现不 同区域之间的耦合需要用到耦合电极，而这增加的不透光的耦合电极如果不设计 好则会减少开口率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种多畴垂直取向液晶显示装置，可以通 过耦合电极实现多畴显示，且不影响开口率。本专利技术为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种多畴垂直取向液 晶显示装置，包括相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板的表面形成有 像素电极和狭缝，所述狭缝将像素电极分割为电气上不连接的至少两部分；所述 第一基板上还形成有耦合电极；所述第二基板的表面形成有公共电极和凸起物；其 中，所述耦合电极和所述凸起物相对应。上述的多畴垂直取向液晶显示装置，其中，所述耦合电极稍大于所述凸起物。上述的多畴垂直取向液晶显示装置，其中，所述狭缝将像素电极分割为第一像 素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极分别由第一薄膜晶体 管和第二薄膜晶体管控制，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶 体管和第二薄膜晶体管具有不同的沟道宽/长比值。本专利技术对比现有技术有如下的有益效果本专利技术提供的多畴垂直取向液晶显示 装置，由于耦合电极与凸起物位置对应，既通过耦合电极实现多畴显示，又不降低 不透光的耦合电极对开口率的不利影响。此外，当耦合电极稍大于凸起物，还可以防 止凸起物处的漏光现象，从而提高了对比度。附图说明图1是现有液晶显示装置结构示意图。图2是现有多畴垂直取向液晶显示装置的子像素分割示意图。 图3是现有多畴垂直取向液晶显示面板剖面图。图4是本专利技术多畴垂直取向液晶显示装置的第一基板结构示意图。图5是本专利技术多畴垂直取向液晶显示装置剖面图。 图6是液晶显示装置像素等效电路图。图中1背光源4控制电路板7液晶层10凸起物13储存电极16第二耦合电极Tl第一薄膜晶体管Clc2第二像素电容Cx耦合电容2第一基板 5像素电极 8液晶分于 11栅极线 14接触孔 Pl第一像素电极 T2第二薄膜晶体管 Cstl第一存储电容3第二基板 6公共电极 9狭缝 12数据线 15第一耦合电极 P2第二像素电极 Clcl第一像素电容 Cst2第二存储电容具体实施例方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的描述。图4是本专利技术多畴垂直取向液晶显示装置的第一基板结构示意图，图5是本专利技术 多畴垂直取向液晶显示装置剖面图。请参见图4和图5，本专利技术多畴垂直取向液晶显示装置包括相对设置的第一基 板2和第二基板3;所述第一基板2的表面形成有像素电极和狭缝9，所述狭缝9 将像素电极分割为电气上不连接的至少两部分；所述第一基板2上还形成有耦合 电极；所述第二基板3的表面形成有公共电极和凸起物IO。第二基板3上的凸起物 10和第一基板2上的狭缝9将像素分为多个液晶分子取向区域，实现液晶显示器的广 视角功能。请继续参见图4， 11、 12分别为第一基板上的栅极线和数据线。Tl、 T2为一个子 像素的两个薄膜晶体管，其栅极与源极与相同的栅极线和数据线相连，而漏极分别与 子像素内的不同像素电极相连。第一薄膜晶体管T1的沟道宽长比值为W1/L1，而第二 薄膜晶体管T2的沟道宽长比值为W2/L2，且W1/L1^W2/L2。狭缝9将像素电极分为第 一像素电极P1和第二像素电极P2，两薄膜晶体管T1、 T2分别为像素电极P1、 P2充电。两像素电极P1、 P2分别与上基板的公共电极6形成像素电容Clcl、 Clc2。两像 素电极P1、 P2分别与储存电极13形成存储电容Cstl、 Cst2。 15、 16都为储存电极与 像素电极之间的耦合电极，14为接触孔，进行源极金属层与透明电极层的电性相连。一般来说，目前设计耦合电极时主要考虑工艺简单，能够通过电容耦合实现多 畴显示效果即可，如将漏极向像素电极方向延伸形成耦合电极，但是耦合电极是不 透光的金属电极，上述方法容易影响开口率。本专利技术中的耦合电极既保证耦合电容效 果，又不影响开口率。请同时参见图4和图5，本专利技术使用的阵列基板总的来说可以 分三层，栅极线11，存储电极13在最低层；中间层是数据线12，第一耦合电极 15和第二耦合电极16;最上层是像素电极5，其被狭缝9分割为像素电极P1， P2。其中，第一耦合电极15与第一像素电极P1电性相连，其位置位于第二像素电极 P2下方，与之形成耦合电容；而第二耦合电极16则与第二像素电极P2电性相连，其 位置位于第一像素电极P1下方，与之形成耦合电容，第一耦合电极15和所述凸起物 IO相对应，第二耦合电极16也和所述凸起物10相对应(图未示)。耦合电极15、 16 的长短及大小，可根据具体产品考量， 一方面既保证耦合电容效果，另一方面又使其 具有对凸起物的遮光功能。优选地，耦合电极稍大于其上方对应的凸起物10大小，以 保证其遮光功能。第一像素电极Pl和第二像素电极P2下方都有耦合电极与之形成 耦合电容，并且位置对应于影响显示效果的凸起物处，这样既保证了耦合电容有本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种多畴垂直取向液晶显示装置，包括 相对设置的第一基板和第二基板； 所述第一基板的表面形成有像素电极和狭缝，所述狭缝将像素电极分割为电气上不连接的至少两部分； 所述第一基板上还形成有耦合电极； 所述第二基板的表面形成 有公共电极和凸起物； 其特征在于，所述耦合电极和所述凸起物相对应。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曹文一，陆海峰，肖金华，
申请(专利权)人：上海广电光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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