【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件生产制造领域，特别涉及一种卧式炉管及其生产原位参杂 多晶硅的方法。
技术介绍
原位参杂多晶硅现已被广泛的应用到IC和太阳能电池生产中。在现今的集成电 路和太阳能电池制造中，原位掺杂多晶硅常用作元件的导电材料，如CMOS中栅氧的导电 层，它的优点是可以通过调节PH3和SiH4的流量来满足不同电阻率的需求，原位参杂多晶 硅生产过程中多晶硅沉积和参杂这两步同时进行，从而达到产品所需的要求。这种工艺具 有电阻可控以及生产周期短等优点。目前业界在6寸及6寸以下的生产线常用卧式炉管合成原位掺杂多晶硅。其工作 原理是将磷烷和硅烷注入到卧式炉管的反应腔中，在反应腔中安装有用于放置原位掺杂多 晶硅的舟，磷烷和硅烷注入反应腔后，进行反应合成原位掺杂多晶硅，磷烷和硅烷的反应方 程如下2PH3 — 2P+3H2SiH4 — Si+2H2在现有技术中，由于注入到反应腔中的磷烷和硅烷在反应腔内可能会出现分布不 均勻的情况，这样在合成原位掺杂多晶硅时，会影响多晶硅的均勻性，从而影响到多晶硅的质量。由上述分析，不难发现，现有技术中存在以下问题合成原位掺杂多晶硅时多晶硅 ...
【技术保护点】
一种用于生产原位参杂多晶硅的卧式炉管，包括：管体１１和管体１１包围的反应腔１６，其特征在于，管状的气体注入器１５沿管体１１轴向方向伸入反应腔１６中，注入器１５的管壁１７上开有多个小孔１８，远离气体注入的一端２０封闭。
【技术特征摘要】
一种用于生产原位参杂多晶硅的卧式炉管，包括管体11和管体11包围的反应腔16，其特征在于，管状的气体注入器15沿管体11轴向方向伸入反应腔16中，注入器15的管壁17上开有多个小孔18，远离气体注入的一端20封闭。2.如权利要求1所述的卧式炉管，其特征在于，在管体11的炉口端12，与管体11轴向 垂直安装有法兰13，法兰13上开有气体注入端口 14。3.如权利要求1所述的卧式炉管，其特征在于，注入器15的管壁17上有9个出气小孔 18，依次交错开在气体注入器15的管壁17两边。4.如权利要求3所述的卧式炉管，其特征在于，注入器15由管体11的炉尾端19伸入 炉管管体11的反应腔16中。5.如权利要求4所述的卧式炉管，其特征在于，靠近炉尾端19的第一个出气小孔18距 炉尾端19的距离为788士5毫米，相邻出气小孔18之间的距离为63. 5士5毫米，出气小孔 18的直径为1.32士0.2毫米。6.如权利要求1所述的卧式炉管，其特征在于，注入器1...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐威，黄辛庭，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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