存储器单元和形成存储器单元的磁性隧道结（ＭＴＪ）的方法技术

本发明专利技术揭示一种包括存储器单元的存储器和用于产生所述存储器单元的方法。所述存储器包括处于第一平面内的衬底。提供在第二平面内延伸的第一金属连接。所述第二平面大体上正交于所述第一平面。提供磁性隧道结（ＭＴＪ），所述磁性隧道结（ＭＴＪ）具有耦合到所述金属连接的第一层，使得所述ＭＴＪ的所述第一层沿所述第二平面定向。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般来说涉及存储器单元，且更具体来说涉及存储器单元的磁性隧道结堆叠。
技术介绍
随机存取存储器(RAM)是现代数字结构的普遍存在的组件。RAM可是独立装置或 者可被集成或嵌入在使用MM的装置内，所述装置例如微处理器、微控制器、专用集成电路 (ASIC)、芯片上系统(SoC)，和如所属领域的技术人员将明了的其它类似装置。RAM可为易 失性的或非易失性的。无论何时移除电力，易失性RAM就丢失其所存储的信息。即使在从 存储器移除电力时，非易失性RAM仍可维持其存储器内容。与将数据作为电荷或电流存储的常规RAM技术相比，磁阻式随机存取存储器 (MRAM)使用与互补金属氧化物半导体(CMOS)集成的磁性元件。大体来说，MRAM技术的属 性包括非易失性以及不受限制的读取和写入持久性。MRAM提供高速、较低操作电压和高密 度固态存储器的可能性。MRAM应用可包括用于汽车、移动电话、智能卡、抗辐射军事应用、数 据库存储装置、射频识别装置(RFID)和现场可编程门阵列(FPGA)中的MRAM元件的存储器 单元。这些可能的MRAM应用可包括独立存储器应用和嵌入式存储器应用两者。大体来说， 位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器，其包含：处于第一平面内的衬底；在第二平面内延伸的第一金属连接，其中所述第二平面大体上正交于所述第一平面；以及第一磁性隧道结（ＭＴＪ），其具有耦合到所述金属连接的第一层，使得所述ＭＴＪ的所述第一层沿所述第二平面定向。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2008-1-8 11/970,557一种存储器，其包含处于第一平面内的衬底；在第二平面内延伸的第一金属连接，其中所述第二平面大体上正交于所述第一平面；以及第一磁性隧道结(MTJ)，其具有耦合到所述金属连接的第一层，使得所述MTJ的所述第一层沿所述第二平面定向。2.根据权利要求1所述的存储器，其中所述第一MTJ包括沿所述第二平面定向的一个 或一个以上层。3.根据权利要求1所述的存储器，其中晶体管形成于所述衬底上。4.根据权利要求3所述的存储器，其中所述第一金属连接耦合到所述晶体管。5.根据权利要求4所述的存储器，其进一步包含源极线连接和字线连接，其中每一者耦合到所述晶体管。6.根据权利要求5所述的存储器，其进一步包含耦合到所述第一 MTJ的第二层的位线连接，其中所述第二层沿所述第二平面定向。7.根据权利要求6所述的存储器，其中电流经配置以通过处于所述第二平面内的所述 第一 MTJ的所述层在所述位线连接与所述金属连接之间流动。8.根据权利要求1所述的存储器，其中所述第一层是钉扎层，且其中所述第一MTJ进一 步包括沿所述第二平面定向的隧道势垒层；以及 沿所述第二平面定向的自由层。9.根据权利要求8所述的存储器，其进一步包含形成于绝缘体中的沟槽，其中所述MTJ的所述钉扎层、隧道势垒层和自由层形成于所 述沟槽中，其中所述沟槽具有平行于所述第一平面的底部部分和相对于所述第二平面倾斜的倾 斜部分，且其中至少所述隧道势垒层在所述底部部分和倾斜部分中比沿所述第二平面定向的部分厚。10.根据权利要求1所述的存储器，其进一步包含 在所述第二平面内延伸的第二金属连接；以及第二磁性隧道结(MTJ)，其具有耦合到所述第二金属连接的第一层，使得所述第二 MTJ 的所述第一层沿所述第二平面定向。11.根据权利要求10所述的存储器，其中一个源极线对于每一对所述MTJ来说是共享的。12.根据权利要求11所述的存储器，其进一步包含 用于所述第一 MTJ的第一字线；以及用于所述第二 MTJ的第二字线。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾时群，升H康，马修M诺瓦克，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]