磁阻存储器器件和集成电路以及形成自旋扭矩结构的方法技术

本发明专利技术涉及磁阻存储器器件和集成电路以及形成自旋扭矩结构的方法。提出了磁阻结构、器件、存储器及其形成方法。例如，一种磁阻结构包括：第一铁磁性层；第一非磁性间隔物层，其邻近所述第一铁磁性层；第二铁磁性层，其邻近所述第一非磁性间隔物层；以及第一反铁磁性层，其邻近所述第二铁磁性层。例如，所述第一铁磁性层可以包括第一钉扎铁磁性层，所述第二铁磁性层可以包括自由铁磁性层，并且所述第一反铁磁性层可以包括自由反铁磁性层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及磁阻结构、自旋电子器件、存储器和集成电路。更具体而言，本 专利技术涉及自旋扭矩(spin-torque)磁阻结构和包括基于自旋扭矩的磁阻随机存取存储器 (MRAM)的器件。
技术介绍
磁阻随机存取存储器(MRAM)使磁部件与标准硅基微电子器件组合来实现非易失 性存储器。例如，硅基微电子器件包括诸如晶体管、二极管、电阻器、互连、电容器或电感器 的电子器件。晶体管包括场效应晶体管和双极晶体管。MRAM存储器基元包括存储在对应于 两个数据状态(“1”和“0”)的两个方向之间切换的磁矩的磁阻结构。在MRAM基元中，按 照自由磁性层的磁化方向来存储信息。在常规自旋转移(spin-transfer)MRAM存储器基元 中，通过迫使写入电流直接流过构成MRAM基元的材料层的叠层，将数据状态编程为“ 1”或 “0”。一般地说，通过流过一个层而被自旋极化的写入电流对随后的自由磁性层施加自旋扭 矩。根据写入电流的极性，该扭矩使自由磁性层的磁化在两个稳定状态之间切换。
技术实现思路
本专利技术的原理提供了，例如，与自由铁磁性层交换耦合且邻近该自由铁磁性层 的自由反铁磁性层。本专利技术的原理本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁阻结构，包括：第一铁磁性层；第一非磁性间隔物层，其邻近所述第一铁磁性层；第二铁磁性层，其邻近所述第一非磁性间隔物层且包括自由铁磁性层；以及第一反铁磁性层，其邻近所述第二铁磁性层，其中所述第一反铁磁性层包括自由反铁磁性层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：D沃利奇，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US