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本发明涉及磁阻存储器器件和集成电路以及形成自旋扭矩结构的方法。提出了磁阻结构、器件、存储器及其形成方法。例如，一种磁阻结构包括：第一铁磁性层；第一非磁性间隔物层，其邻近所述第一铁磁性层；第二铁磁性层，其邻近所述第一非磁性间隔物层；以及第一反...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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