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存储器单元和形成存储器单元的磁性隧道结(MTJ)的方法技术
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下载存储器单元和形成存储器单元的磁性隧道结(MTJ)的方法的技术资料
文档序号:4890798
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本发明揭示一种包括存储器单元的存储器和用于产生所述存储器单元的方法。所述存储器包括处于第一平面内的衬底。提供在第二平面内延伸的第一金属连接。所述第二平面大体上正交于所述第一平面。提供磁性隧道结(MTJ),所述磁性隧道结(MTJ)具有耦合到所...
该专利属于高通股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过高通股份有限公司授权不得商用。
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