发光器件封装制造技术

根据实施例的发光器件封装包括：基板，包括第一腔体和第二腔体，第一腔体具有第一深度以及相对于底表面倾斜的侧表面，第二腔体具有从第一腔体的底表面凹入的第二深度以及与第一腔体的底表面垂直的侧表面；基板上的第一电极层和第二电极层；以及第二腔体内的发光二极管（ＬＥＤ），发光二极管电连接到第一和第二电极层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光器件封装。
技术介绍
发光二极管(LED)被广泛用作发光器件。LED包括彼此堆叠的N型半导体层、有源 层、以及P型半导体层，使得根据向其施加的电压光从有源层生成并射向外部。发光器件封装包括LED、支持LED的基板、以及向LED提供电能的导电元件。现在已经继续进行如下这种努力通过改进发光器件的结构来提高光效率。此外， 已经继续进行如下这种努力通过改进包括发光器件的发光器件封装的结构来提高光效 率。
技术实现思路
技术问题实施例提供了具有新型结构的发光器件封装。实施例还提供了发光效率得以改进的发光器件封装。技术方案在一个实施例中，发光器件封装包括基板，包括第一腔体和第二腔体，第一腔体 具有第一深度以及相对于底表面倾斜的侧表面，第二腔体具有从第一腔体的底表面凹入的 第二深度以及与第一腔体的底表面垂直的侧表面；基板上的第一电极层和第二电极层；以 及第二腔体内的发光二极管，该发光二极管电连接到第一和第二电极层。在另一实施例中，发光器件封装包括基板，包括第一腔体和第二腔体，第一腔体 具有第一深度，第二腔体具有从第一腔体的底表面凹入的第二深度；第一腔体的一部分以 及第二腔体的整个侧表面和底表面上的第一电极层；第一腔体的一部分上的第二电极层； 以及第二腔体内的发光二极管，该发光二极管电连接到第一和第二电极层。在又一实施例中，发光器件封装包括基板，包括第一腔体和第二腔体，第一腔体 具有第一深度，第二腔体具有从第一腔体的底表面凹入的第二深度；基板上的第一电极层 和第二电极层，该第一和第二电极层彼此电隔离；以及第二腔体内的发光二极管，其一部分 从第二腔体向外凸出的发光二极管电连接到第一和第二电极层。附图以及下面的描述中叙述了一个或更多个实施例的详细内容。其它特征根据描 述和附图以及根据权利要求将会是明显的。有益效果实施例可以提供具有新型结构的发光器件封装。实施例还可以提供发光效率得以改进的发光器件封装。附图说明图1是根据实施例的发光器件封装的透视图。4图2是根据实施例的发光器件封装的剖视图。 具体实施例方式在以下描述中，将会理解的是，当层(或膜)被称作是在另一层或基板“上”时，它 可以是直接在另一层或基板上，或者，还可以存在中间层。进一步地，将会理解的是，当层被 称作是在另一层“下”时，它可以是直接在另一层之下，或者，还可以存在一个或更多个中间 层。另外，将会理解的是，当层被称作是在两个层“之间”时，它可以是两个层之间唯一的层， 或者，还可以存在一个或更多个中间层。在附图中，放大、省略、或者示意性示例了每个层的厚度或尺寸以便于描述以及清 楚起见。此外，每个部件的尺寸并非完全反映了实际尺寸。图1是根据一个实施例的发光器件封装的透视图，图2是根据一个实施例的发光 器件封装的剖视图。参照图1和图2，根据一个实施例的发光器件封装包括基板10、第一电极层11、第 二电极层12、发光二极管(LED) 100、以及线路50。基板10具有第一腔体60以及定义在第 一腔体60内部的第二腔体70。第一和第二电极层11和12设置在基板10上并且彼此电隔 离。LED 100设置在第二腔体70内，LED 100的一部分凸出。线路50将LED 100电连接到 基板10。虽然未示出，但包括LED 100的第一和第二腔体60和70内可以设置由树脂形成 的成型元件。成型元件可以含有磷。基板10可以包括各种基板，如，印刷电路板(PCB)、硅晶圆、以及树脂基板。第一 腔体60和第二腔体70被限定在基板10的顶表面中。第一腔体60具有第一面积和第一深 度。第二腔体70具有小于第一面积的第二面积以及如下这种第二深度从第一腔体的底表 面凹入小于第一深度的深度。如图1和图2中所示，第一腔体60具有倾斜的侧表面13。第二腔体70的侧表面 与第二腔体70的底表面垂直。第一电极层11和第二电极层12可以具有用于向LED 100供电的功能以及用于反 射从LED 100所发出光的功能。例如，第一电极层11和第二电极层12由铜(Cu)材料形成。此外，可以将光反射 率高的铝(Al)或银(Ag)涂覆在第一和第二电极层11和12的顶表面上。第一电极层11可以设置在基板10的顶表面、第一腔体60的侧表面、第一腔体60 的底表面、第二腔体70的侧表面、以及第二腔体70的底表面上。第二电极层12可以设置 在基板10的顶表面、第一腔体60的侧表面、以及第一腔体60的底表面上。第一电极层11可以设置在第二腔体70的整个侧表面和底表面以及第一腔体60 的一部分上。第二电极层12可以部分地只设置在第一腔体60上。第一和第二电极层11和12中的每个可以在彼此电隔离的状态中具有较宽广的面 积。LED 100可以包括支持层20、发光层30、以及电极层40。支持层20由导电材料形成，以将第一电极层11电连接到发光层30。例如，支持 层20可以由金属材料(S卩，含有Cu、Ni、Au、Al、Cr、以及Ti中至少之一的材料)形成。此外，可以将含有光反射率高的Ag或Al的金属所形成的反射层(未示出)设置在支持层20 的顶表面上。发光层30可以由氮化物半导体材料形成。例如，发光层30可以包括第一导电型 半导体层、有源层、以及第二导电型半导体层。电极层40可以通过线路50将发光层30电连接到第二电极层12。例如，电极层40 可以包括欧姆电极层。欧姆电极层可以包括透明电极层。例如，电极层40可以由Ni、IZ0、 IT0、Zn0、Ru0x、Ti0x、以及IrOx中的至少之一形成。在根据实施例的发光器件封装中，基板10具有第一腔体60和第二腔体70。LED 100安装在第二腔体70内。由于LED 100安装在第二腔体70内，所以可以容易地确定LED 100的安装位置。 此外，由于LED 100的一部分设置在第二腔体70内，所以它可以防止外界碰撞直接作用于 LED 100。LED 100的发光层30设置在第一和第二电极层11和12 (设置在第一腔体60的底 表面上)上方。即，LED 100的支持层20的厚度大于第二腔体70的深度。此外，第二腔体70的宽度可以大于LED 100的宽度0. 5%至10%。例如，当LED 100的宽度在第一和第二方向上为约IOOOymX IOOOym时，第二腔 体70的宽度在第一和第二方向上可以为约1005 μ mX 1005 μ m至约1100 μ mX 1100 μ m。即，由于第二腔体70的面积略大于LED 100的面积，所以支持层20与第二腔体70 的侧表面之间距离的范围可以为约2. 5 μ m至约50 μ m。因此，从LED 100的发光层30发出的光并不在第二腔体70的内部附近行进。大 多数光直接朝上侧行进或者被第一腔体60反射，并随后朝上侧行进。在根据一个实施例的发光器件中，从LED 100的发光层30发出的光可以不被吸收 到LED 100的支持层20中，而是大多数射向外部。因此，在根据一个实施例的发光器件中，从LED 100发出的光可以有效地射向外 部以使发光效率最大化。虽然已经参照其许多示例性实施例对实施例进行了描述，但应当理解的是，本领 域技术人员能够设计出大量其它的修改和实施例，这些修改和实施例将会落入本公开原理 的精神和范围内。更具体地，在本公开、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件封装，包括：基板，包括第一腔体和第二腔体，第一腔体具有第一深度以及相对于底表面倾斜的侧表面，第二腔体具有从第一腔体的底表面凹入的第二深度以及与第一腔体的底表面垂直的侧表面；基板上的第一电极层和第二电极层；以及第二腔体内的发光二极管，该发光二极管电连接到第一和第二电极层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2008-9-1 10-2008-0085884一种发光器件封装，包括基板，包括第一腔体和第二腔体，第一腔体具有第一深度以及相对于底表面倾斜的侧表面，第二腔体具有从第一腔体的底表面凹入的第二深度以及与第一腔体的底表面垂直的侧表面；基板上的第一电极层和第二电极层；以及第二腔体内的发光二极管，该发光二极管电连接到第一和第二电极层。2.如权利要求1所述的发光器件封装，其中，发光二极管包括具有导电性的支持层、支 持层上的发光层、以及发光层上的电极层。3.如权利要求2所述的发光器件封装，其中，支持层与第一电极层接触并且电连接到 第一电极层，该电极层通过线路电连接到第二电极层。4.如权利要求2所述的发光器件封装，其中，在支持层与发光层之间设置含有Ag或Al 的反射层。5.如权利要求1所述的发光器件封装，其中，第二腔体的宽度大于发光二极管的宽度 0. 5%M 10%。6.如权利要求1所述的发光器件封装，其中，发光二极管的侧表面与第二腔体的侧表 面隔开约2. 5 μ m至约50 μ m的距离。7.一种发光器件封装，包括基板，包括第一腔体和第二腔体，第一腔体具有第一深度，第二腔体具有从第一腔体的 底表面凹入的第二深度；第一腔体的一部分以及第二腔体的整个侧表面和底表面上的第一电极层；第一腔体的一部分上的第二电极层；以及第二腔体内的发光二极管，该发...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴炯兆，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]