发光二极管的导线架构造制造技术

一种发光二极管的导线架构造，通过在埋入胶座的支架边缘形成间断式的阻隔区段所形成的虹吸现象，能够将水气聚集于阻隔区段之间，由此可以达到有效防止水气渗入发光二极管的导线架构造的功效。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种发光二极管的导线架构造，尤其是指一种于埋入胶座的支架边缘形成间断式的阻隔区段，可将水气有效阻隔住以防止水气渗入的发光二极管的导线架 构造。
技术介绍
近年来，由于发光二极管(Light Emitting Diode， LED)具有耗电量低、组件寿命 长、无须暖灯时间及反应速度快等优点，加上其体积小、耐震动、适合量产，因此发光二极管 已普遍使用于信息、通讯及消费性电子产品的指示灯与显示装置上，如行动电话及个人数 字助理(Personal DigitalAssistant，PDA)屏幕背光源、各种户外显示器、交通号志灯及车 灯等。 通常发光二极管是通过表面黏贴技术(Surface Mount Device, SMD)固接于发光二极管的导线架构造内，而发光二极管的导线架构造的内部结构对于发光二极管的出光效果具有直接性的影响，以下将说明一种公知的发光二极管的导线架构造。 请参考图1A、图IB以及图1C所示，图1A绘示为公知发光二极管的导线架构造的立体图；图1B绘示为公知发光二极管的导线架构造的胶座与支架间微小空隙立体放大图ic绘示为公知发光二极管的导线架构造的俯视示意图。 公知发光二极管的导线架构造，其包含第一支架10、第二支架20以及胶座30。 第一支架10用以固接发光二极管(图中未绘示)于第一支架10的第一内埋端ll，发光二极管可以通过第一支架io产生电性连接，以提供发光二极管所需的一种电性极性，或是可以与其它电子装置(图中未绘示)进行电性连接。 第二支架20的第二内埋端21与发光二极管通过打线接合(wirebonding)技术形成电性连接，在此仅为举例说明，并不以此局限公知技术的应用范畴，以提供发光二极管所需的另外一种电性极性，或是可以与其它电子装置进行电性连接(图中未绘示)。 其中，在第一内埋端ll以及第二内埋端21两侧分别形成至少一凹陷部12以及至少一凹陷部22，第一内埋端11两侧以及第二内埋端21两侧所分别形成的凹陷部12以及凹陷部22被埋入于胶座30内。 第一内埋端11两侧所形成的凹陷部11以及第二内埋端21两侧所形成的凹陷部 21，其作用将说明如下。 在将第一内埋端11以及第二内埋端21埋入于胶座30内时，由于胶座30与第一 支架10以及第二支架20两侧分别会产生微小空隙31(如图1B所示，为加大示意效果，图 中以显著方式表现出胶座30与第一支架10以及第二支架20两侧所产生的微小空隙31)， 而当发光二极管用于具有水气的环境时，水气很容易就从微小空隙31渗入，并且当水气渗 入至发光二极管(图中未绘示)时，则会影响到发光二极管的发光效率，甚至会使得发光二 极管失效。 当水气沿着胶座30与第一支架10或是第二支架20两侧微小空隙31渗入时，则可以由于第一内埋端11两侧所形成的凹陷部12，或是由于第二内埋端21所形成的凹陷部 22，增加水气的行进路径，并同时增加水气所渗入至发光二极管的时间，以延长发光二极管 的使用寿命，但是无法有效的防止水气的继续渗入。 公知的发光二极管的导线架构造所使用的技术手段是增加水气的行进路径，并同 时增加水气所渗入至发光二极管的时间，以延长发光二极管的使用寿命，但是无法有效的 防止水气的继续渗入，在长时间使用发光二极管时，在水气渗入至发光二极管即会影响到 发光二极管的发光效率，甚至会使得发光二极管失去效用。 综上所述，可知公知技术中长期以来一直存在现有的发光二极管的导线架构造无 法有效防止水气渗入的问题，因此有必要提出改进的技术手段，来解决此一问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种发光二极管的导线架构造，以改善公知技术存在 现有的发光二极管的导线架构造无法有效防止水气渗入的问题， 为实现上述目的，本技术提供的发光二极管的导线架构造，主要包括 胶座、第一支架以及第二支架。 其中，该第一支架具有一第一内埋端埋入于该胶座内，该第一内埋端是用以固接 该发光二极管，且该第一内埋端两侧分别形成有至少一第一阻隔区段；该第二支架具有一 第二内埋端埋入于该胶座内，该第二内埋端用以与该发光二极管产生电性连接，且该第二 内埋端两侧分别形成有至少一第二阻隔区段。 而在该第一支架的该第一内埋端两侧的边缘形成的该至少一第一阻隔区段为间 断的倒角，以及该第二支架的该第二内埋端两侧的边缘形成的该至少一第二阻隔区段为间 断的倒角。 并且该至少一第一阻隔区段以及该至少一第二阻隔区段的区段长度可以为相同 长度或者是不同长度，并且该至少一第一阻隔区段以及该至少一第二阻隔区段可以分别平 均分布于该第一内埋端两侧以及该第二内埋端两侧的边缘，或是该至少一第一阻隔区段以 及该至少一第二阻隔区段可以分别任意分配于该第一内埋端两侧以及该第二内埋端两侧 的边缘。 而在该第一内埋端两侧以及该第二内埋端两侧所分别形成的该至少一第一阻隔 区段以及该至少一第二阻隔区段的区段之间会形成虹吸现象，以将水气聚集于该至少一第 一阻隔区段以及该至少一第二阻隔区段之间。 在该第一内埋端两侧以及该第二内埋端两侧还可分别形成至少一凹陷部，该至少 一凹陷部是用以增加水气的路径之外，还可于该至少一凹陷部的转角处形成虹吸现象，以 将渗入的水气聚集于该至少一凹陷部的转角处。 该第一内埋端两侧以及该第二内埋端两侧所分别形成的该至少一凹陷部与该至 少一第一阻隔区段以及该至少一第二阻隔区段是由该胶座外部向该胶座内部依序配置，第 一内埋端两侧以及第二内埋端两侧所分别形成的该至少一凹陷部与该至少一第一阻隔区 段以及该至少一第二阻隔区段也可由该胶座内部向该胶座外部依序配置，或是第一内埋端 两侧以及第二内埋端两侧所分别形成的该至少一第一阻隔区段以及该至少一第二阻隔区 段与该至少一凹陷部呈现交错配置，该至少一凹陷部还可形成至少一第三阻隔区段，能将4渗入的水气聚集于该至少一凹陷部的该至少一第三阻隔区段处。 本技术与公知技术之间的差异在于本技术在该第一支架被埋入于该胶 座的该第一内埋端的两侧分别形成该至少一第一阻隔区段，以及在该第二支架被埋入于该 胶座该第二内埋端的两侧分别形成该至少一第二阻隔区段，由于该胶座与该第一支架以及 该第二支架两侧分别会产生微小空隙，水气则会由此微小空隙渗入，当水气渗入至该第一内埋端两侧以及该第二内埋端两侧所分别形成的该至少一第一阻隔区段以及该至少一第 二阻隔区段时，水气则会在该第一内埋端的该至少一第一阻隔区段或是该第二内埋端的该 至少一第二阻隔区段的区段间形成虹吸现象，由此可以将渗入的水气聚集于该第一内埋端 的该至少一第一阻隔区段或是该第二内埋端的该至少一第二阻隔区段之间，以使得水气不 会再继续渗入至发光二极管，这样即可以有效防止水气所造成发光二极管的发光效率下 降，以及发光二极管失效的问题。 通过上述的技术手段，本技术可以达成发光二极管的导线架构造有效防止水 气渗入的技术功效。附图说明图1A为公知发光二极管的导线架构造的立体图。 图IB为公知发光二极管的导线架构造的胶座与支架间微小空隙立体放大图。 图1C为公知发光二极管的导线架构造的俯视示意图。 图2为本技术发光二极管的导线架构造的立体示意图。 图3A至图3C为本技术发光二极管的导线架构造的支架剖面示意图。 图4A为本实用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的导线架构造，其特征在于，包含：一胶座；一第一支架，具有一第一内埋端埋入于该胶座内，该第一内埋端固接该发光二极管，且该第一内埋端两侧分别形成有至少一第一阻隔区段；及一第二支架，具有一第二内埋端埋入于该胶座内，该第二内埋端与该发光二极管产生电性连接，且该第二内埋端两侧分别形成有至少第二阻隔区段。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈立敏，
申请(专利权)人：一诠精密电子工业昆山有限公司，一诠精密工业股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]