【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，且特别涉及一种性能与可靠度较高的。
技术介绍
铁、钴、镍等磁性物质及其合对于磁场反应较其它元素灵敏且强，而最能直接反映其磁场变化的物就是电阻，故我们称磁性物质受到外加磁场而产生的电阻变化为磁阻。由于消费电子产品如手机、电子罗盘的出现，再加上马达、制动器等传统产品，使磁阻式磁传感器的需求日益增加。图1为现有磁阻传感器的剖面示意图。其中磁阻传感器100主要是由基板102、 磁阻构造104、第一导线构造106、第一绝缘层108、第二导线构造110、第二绝缘层112、第三导线构造114以及通孔接触导线116所构成。其中，磁阻构造104、第一导线构造106、第一绝缘层108、第二导线构造110、第二绝缘层112以及第三导线构造114是依序配置于基板102上，并在第三导线构造114上方配置钝态保护层126以保护内部结构。而通孔接触导线116分别连接第一导线构造106、第二导线构造110和第三导线构造114。第一导线构造106用以读出磁阻构造104因应磁场变化而产生的电阻变化，而后续形成的第二导线构造110和第三导线构造114则为信号接线，用以传输控制信号...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘富台，李乾铭，
申请(专利权)人：宇能电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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