【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例大体来说涉及半导体装置的领域，且更明确地说，涉及电阻式存 储器装置，例如，相变存储器装置。
技术介绍
传统上，已将微处理器可存取存储器装置分类为非易失性或易失性存储器装置。 非易失性存储器装置甚至在关断所述存储器装置的电力时也能够保持所存储的信息。 然而，传统上，非易失性存储器装置占用大量的空间且消耗大量的电力，从而使得这 些装置不适合在便携式装置中使用或用作频繁存取的易失性存储器装置的替代品。另 一方面，易失性存储器装置往往比非易失性存储器装置提供更大的存储能力及编程选 项。易失性存储器装置也比非易失性存储器装置消耗更少的电力。然而，为保持所存 储的存储器内容，易失性存储器装置需要连续的电力供应。对商业可行性的存储器装置(其为随机存取的、具有相对低的功耗且为非易失性) 的研究及开发正在进行。 一个正在进行的研究邻域是在其中电阻状态可以编程方式改 变的电阻式存储器单元中。 一种研究途径涉及通过响应于所施加的编程电压在结构上 或在化学上改变存储器单元的物理性质(此又改变单元电阻)来将数据存储在所述存 储器单元中的装置。正在研究的可变电阻存储器装置...
【技术保护点】
一种电阻式存储器结构，其包括： 存取装置； 至少两个电阻式存储器单元，每一单元耦合到所述存取装置并耦合到单元选择信号线且每一单元经配置以在经由所述线上的单元选择信号而被选择时且在启动所述存取装置之后传递电流；及 至少两个整 流装置，每一整流装置与所述至少两个存储器单元中的相应存储器单元连接。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，迈克瓦奥莱特，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。