单管ＳＯＮＯＳ　ＮＯＲ型快速闪存存储单元的布线结构制造技术

本发明专利技术公开了一种单管ＳＯＮＯＳ？ＮＯＲ型快速闪存存储单元的布线结构，该存储单元采用矩阵阵列布局，两列存储单元共用一条源线的布线，以及两个存储单位共用一个源端。本发明专利技术能缩小存储单元的尺寸，并且保证存储单元能正常工作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路制造器件，具体涉及一种非挥发性闪存存储器，尤其涉及一种单管SONOS NOR型快速闪存存储单元的布线结构。
技术介绍
如图1所示，在1T SONOS(硅氧氮氧硅)NOR FLASH NVM(单管SONOSNOR型快速非易失性闪存)结构中的存储单元，采用矩阵阵列布局，由阵列的行(Row)和列(Column)决定每个存储单元(Cell)的地址。 如图2所示，一列同时需要引出这一列所有存储单元的位线(Bit line)和源线(source line)，在采用金属布线的时候，就需要同时在一个存储单位的CELL阵列的高X方向引出这一列(COLUMN)这两条金属线。 当选中某一个CELL的时候，需要选中这个CELL的位线(Bit line)，源线(Source line)，以及字线(Word line)。如图3所示，Word Line放置于ROW方向并由POLY(多晶硅)引出；Bit line和Source line都放置于COLUMN方向分别由两条平行的金属M1引出。 单位CELL的面积由CELL的宽度(Width)和高度(Height)乘积决定。CEL本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单管ＳＯＮＯＳＮＯＲ型快速闪存存储单元的布线结构，该存储单元采用矩阵阵列布局，其特征在于，两列存储单元共用一条源线的布线，以及两个存储单位共用一个源端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈广龙，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]