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本发明揭示一种电阻式存储器结构，举例来说，相变存储器结构（７００），其包含一个存取装置（３５０）及两个或两个以上电阻式存储器单元（１０ａ、１０ｂ）。每一存储器单元耦合到整流装置（６６０ａ、６６０ｂ）以防止并联泄漏电流流动穿过未选存储器单元。...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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