表面粗糙化方法技术

本发明专利技术涉及一种在半导体基片（２）中形成粗糙界面（１２）的方法，所述方法包括：在所述基片的表面（４）上形成氧化物或能够被氧化的材料（６）的无规性区域（８）或者在氧化物或能够被氧化的材料（６）之上的无规性区域（８），通过所述材料或所述氧化物（６）和部分所述半导体基片的热氧化、或者通过穿过所述材料或所述氧化物（６）进行的部分所述半导体基片的热氧化而在所述半导体基片（２）之中或之上形成粗糙度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种在半导体基片（２）中形成粗糙界面（１２、２２、２２’、３２）的方法，所述方法包括：　－在所述基片的表面（４）上形成能够被氧化和／或不屏蔽氧化的材料（６、１４、１４’、３６）的无规性区域（８、３８），　－通过所述材料（６、１４ 、１４’、３６）和部分所述半导体基片的热氧化或穿过所述材料（６、１４、１４’、３６）进行的部分所述半导体基片的热氧化而在所述半导体基片（２）中形成粗糙界面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：伯纳德阿斯帕，克里斯特勒拉加赫布兰查德，尼古拉斯苏萨贝，
申请(专利权)人：硅绝缘体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]