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本发明涉及一种在半导体基片（２）中形成粗糙界面（１２）的方法，所述方法包括：在所述基片的表面（４）上形成氧化物或能够被氧化的材料（６）的无规性区域（８）或者在氧化物或能够被氧化的材料（６）之上的无规性区域（８），通过所述材料或所述氧化物（６...
该专利属于硅绝缘体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅绝缘体技术有限公司授权不得商用。

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