【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种基于多层掩蔽层制作微结构的体硅加工方法,其特征在于:该方法先利用掩蔽层多层制作和套刻技术,将多个掩模版的图形逐层转移到硅片上,在硅微结构腐蚀前,将整个工艺所涉及的光刻步骤全部完成;之后进行湿法腐蚀,利用掩蔽层多层制作和套刻后,不同图形处的掩蔽层厚度不同实现硅微结构的分层腐蚀,先暴露出硅片的部分先腐蚀,得到所需深度后,去除该层图形的掩蔽层,露出第二层图形,重复湿法腐蚀和去除掩蔽层过程,最终获得所需微结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:罗怡,张宗波,王晓东,张彦国,郑英松,
申请(专利权)人:大连理工大学,
类型:发明
国别省市:91[中国|大连]
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