液晶显示装置的阵列基板制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种液晶显示装置的阵列基板制造方法，该方法形成栅线和数据线并且在薄膜晶体管沟道上形成钝化层后，在形成过孔和像素电极时，采用一个单调掩模板从基板正面曝光光刻胶并且形成采用一个双调掩模板时能够形成的透射区域和非透射区域；通过适当减小用于曝光的光源的光强，在没有掩模板遮挡的前提下从基板的反面曝光光刻胶并形成采用一个双调掩模板时能够形成的半透射区域，从而用一个单调掩模板替代了一个双调掩模板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示装置的阵列基板的制造方法，特别涉及形成栅线和 数据线并且在薄膜晶体管沟道上形成钝化层后形成像素电极的阵列基板的制 造方法。
技术介绍
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，简称为LCD)是一种主要的平板 显示装置(Flat Panel Display，简称为FPD)。液晶显示装置的阵列基板(Array Substrate)主要由栅线、硅岛、薄膜晶体管(Thin Firm Transistor，简称为TFT) 沟道(channel)、源/漏电极、过孔(via hole)和像素电极构成。 为了提高生产效率，增加产量，技术人员研发出了通过3次构图工艺制 造阵列基板的方法。图1a为现有的制造方法中第一次构图工艺后的基板截面 示意图。图1b为现有的制造方法中第二次构图工艺后的基板截面示意图。图 1c为现有的制造方法的第三次构图工艺中曝光和显影后的基板截面示意图。 图1d为现有的制造方法中第三次构图工艺后的基板截面示意图。如图1a～图 1d所示，现有的制造阵列基板的方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置的阵列基板制造方法，其特征在于，包括：　　步骤１，在基板正面上形成栅线和公共线；　　步骤２，在完成步骤１的基板上形成硅岛、源电极、漏电极和薄膜晶体管沟道；　　步骤３，在完成步骤２的基板上沉积钝化层；　　步骤４，在完成步骤３的基板上涂覆光刻胶；　　步骤５，通过在所述基板的正面采用单调掩模板进行曝光、在所述基板的反面进行曝光、以及显影和蚀刻，在漏电极的边缘区域蚀刻掉钝化层，并露出作为像素电极接触部的部分漏电极表面；　　步骤６，在完成步骤５的基板上沉积像素电极透明导电层；　　步骤７，剥离所述光刻胶，在像素区域形成像素电极图形，所述像素电极通过所述像素电极接触部与漏电极连接。

【技术特征摘要】
1、一种液晶显示装置的阵列基板制造方法，其特征在于，包括： 步骤1，在基板正面上形成栅线和公共线； 步骤2，在完成步骤1的基板上形成硅岛、源电极、漏电极和薄膜晶体管 沟道； 步骤3，在完成步骤2的基板上沉积钝化层； 步骤4，在完成步骤3的基板上涂覆光刻胶； 步骤5，通过在所述基板的正面采用单调掩模板进行曝光、在所述基板的 反面进行曝光、以及显影和蚀刻，在漏电极的边缘区域蚀刻掉钝化层，并露 出作为像素电极接触部的部分漏电极表面； 步骤6，在完成步骤5的基板上沉积像素电极透明导电层； 步骤7，剥离所述光刻胶，在像素区域形成像素电极图形，所述像素电极 通过所述像素电极接触部与漏电极连接。 2、根据权利要求1所述的液晶显示装置的阵列基板制造方法，其特征在 于，所述步骤5具体为： 步骤101，用一个单调掩模板从所述阵列基板的正面对所述光刻胶进行曝 光和显影，去除位于过孔区域的所述光刻胶，一部分过孔区域与所述像素电 极接触部重叠； 步骤102，对所述钝化层进行蚀刻，在源漏电极的边缘形成过孔，并且在 所述一部分过孔区域露出所述像素电极接触部； 步骤103，从所述阵列基板的反面对所述光刻胶进行曝光和显影，去除位 于像素区域的光刻胶。 3、根据权利要求2所述的液晶显示装置的阵列基板制造方法，其特征在 于，在所述步骤101中，用一个单调掩模板从所述阵列基板的正面对所述光 刻胶进行曝光和显影，去除位于像素区域内的所述公共线上的所述光刻胶。 4、根据权利要求1所述的液晶显示装置的阵列基板制造方法，其特征在 -->于，所述步骤5具体为： 步骤201，用一个单调掩模板从所述阵列基板的正面对位于过孔区域的光 刻胶进行曝光，一部分过孔区域与所述像素电极接触部重叠； 步骤202，从所述阵列基板的反面...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹雄宣，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]