门极和阴极间采用玻璃钝化保护的可控硅器件制造技术

门极和阴极间采用玻璃钝化保护的可控硅器件，属于微电子技术领域。包括Ｎ－衬底层（１）、Ｐ＋扩散区（２）、Ｎ＋扩散区（４）、台面凹槽玻璃钝化层（５）、门极（Ｇ）、阴极（Ｔ１）和阳极（Ｔ２），门极（Ｇ）和阴极（Ｔ１）均位于可控硅器件同一侧的表面上，所述门极（Ｇ）和阴极（Ｔ１）一侧的表面上设置有表面玻璃钝化层（７）。通过湿法刻蚀全面去除氧化层，并烧结表面玻璃钝化层，消除了而因机械应力而导致硅片龟裂和破碎的现象，简化了工艺，降低了生产成本，提高了器件的可靠性，具有明显的技术先进性、显著的经济性和极强的实用性。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体器件，特别是取消通常的门极-阴极间的氧化层保护而采用全面玻璃钝化保护的单向、双向可控硅功率器件。属于微电子

技术介绍
现在的单向、双向可控硅功率器件如图1，图2，图3所示，主要有N-衬底层1、P+扩散层2、氧化层3、N+扩散层4、玻璃钝化层5、门极G、阴极Tl、阳极T2组成。门极G和阴极Tl构成表面金属部分，阳极T2构成背面金属部分， 一部分的P+对通扩散区构成P-N隔离、玻璃钝化层5形成台面凹槽内的P-N结保护。 其制造方法包括以下步骤 a.对通隔离在N-衬底层1的基材上以热氧化的方式先生成一层氧化层，经过对通隔离光刻以后进行P+扩散形成对通隔离区； b. P+扩散全面去除氧化层3以后在N-衬底层1基材的表面和背面同时进行P+扩散，形成P+扩散层2; c. N+扩散以光刻、湿法刻蚀方法去除覆盖在N+源区上的氧化层3后进行N+扩散，形成N+扩散层4; d.台面腐蚀在阴极Tl的P+区上光刻环行区域，去除该区域上的氧化层3后进行台面刻蚀，刻蚀深度超过N-P+结的深度，形成台面凹槽构造； e.去除氧化层3的凹槽突出部分用超声波或高压水枪冲击等物理方法去除氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
门极和阴极间采用玻璃钝化保护的可控硅器件，包括Ｎ－衬底层（１）、Ｐ＋扩散区（２）、Ｎ＋扩散区（４）、台面凹槽玻璃钝化层（５）、门极（Ｇ）、阴极（Ｔ１）和阳极（Ｔ２），门极（Ｇ）和阴极（Ｔ１）均位于可控硅器件同一侧的表面上，其特征在于；所述门极（Ｇ）和阴极（Ｔ１）一侧的表面上设置有表面玻璃钝化层（７）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：中原基，
申请(专利权)人：武汉光谷微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：83[中国|武汉]