门极和阴极间采用玻璃钝化保护的可控硅器件及制造方法技术

门极和阴极间采用玻璃钝化保护的可控硅器件及制造方法，属于微电子技术领域。可控硅器件包括Ｎ－衬底层（１）、Ｐ＋扩散区（２）、Ｎ＋扩散区（４）、台面凹槽玻璃钝化层（５）、门极（Ｇ）、阴极（Ｔ１）和阳极（Ｔ２），门极（Ｇ）和阴极（Ｔ１）均位于可控硅器件同一侧的表面上，所述门极（Ｇ）和阴极（Ｔ１）一侧的表面上设置有表面玻璃钝化层（７）。通过湿法刻蚀全面去除氧化层，并烧结表面玻璃钝化层，消除了而因机械应力而导致硅片龟裂和破碎的现象，简化了工艺，降低了生产成本，提高了可控硅器件的可靠性，具有明显的技术先进性、显著的经济性和极强的实用性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件及工艺制造方法，特别是取消通常的门极-阴极间的氧化层保护而采用全面玻璃钝化保护的单向、双向可控硅功率器件及其制造方法。属于微 电子

技术介绍
现在的单向、双向可控硅功率器件如图1，图2，图3所示，主要有N-衬底层1、P+ 扩散层2、氧化层3、N+扩散层4、玻璃钝化层5、门极G、阴极Tl、阳极T2组成。门极G和阴 极Tl构成表面金属部分，阳极T2构成背面金属部分， 一部分的P+对通扩散区构成P-N隔 离、玻璃钝化层5形成台面凹槽内的P-N结保护。 其制造方法包括以下步骤 a.对通隔离在N-衬底层1的基材上以热氧化的方式先生成一层氧化层，经过对 通隔离光刻以后进行P+扩散形成对通隔离区； b. P+扩散全面去除氧化层3以后在N-衬底层1基材的表面和背面同时进行P+ 扩散，形成P+扩散层2; c. N+扩散以光刻、湿法刻蚀方法去除覆盖在N+源区上的氧化层3后进行N+扩 散，形成N+扩散层4; d.台面腐蚀在阴极Tl的P+区上光刻环行区域，去除该区域上的氧化层3后进 行台面刻蚀，刻蚀深度超过N-P+结的深度，形成台面凹槽构造； e.去除氧化层3的凹槽本文档来自技高网...

【技术保护点】
门极和阴极间采用玻璃钝化保护的可控硅器件，包括Ｎ－衬底层（１）、Ｐ＋扩散区（２）、Ｎ＋扩散区（４）、台面凹槽玻璃钝化层（５）、门极（Ｇ）、阴极（Ｔ１）和阳极（Ｔ２），门极（Ｇ）和阴极（Ｔ１）均位于可控硅器件同一侧的表面上，其特征在于；所述门极（Ｇ）和阴极（Ｔ１）一侧的表面上设置有表面玻璃钝化层（７）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：中原基，
申请(专利权)人：武汉光谷微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]