【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件的玻璃钝化工艺，特别是硅平面半导体器件的表面PN结玻璃钝化工艺。技术背景当今硅平面半导体器件的表面钝化工艺，是采用在硅片表面化学气相淀 积多晶硅SIPOS薄膜或者掺磷的二氧化硅^PSG薄膜。其工艺原理是利 用化学惰性气体(H2、 N2、 Ar等)携带反应源气体(磷烷、硅烷)以层流 的方式进入反应室，到达被预先加热至反应温度的衬底。在衬底上方的层流 层中，载气中的反应源分子穿过滞留层，分解并扩散至晶体表面，经物理和 化学过程，可控地淀积到衬底上，形成需要的淀积层。该工艺依赖于昂贵的 化学气相淀积反应设备，因此生产成本高。长期以来，在半导体器件制造领 域，人们不断进行工艺创进，力求降低生产成本，提高产品的性价比。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用玻璃钝化膜代替传统的SIPOS或者PSG膜 对平面半导体器件进行表面PN结保护的工艺方法，以降低生产成本。本专利技术技术方案是将光刻胶和玻璃粉的混合液均匀涂敷在完成了扩散 工序待表面钝化的硅片的表面，置于烘箱内进行前烘；然后送入曝光机内曝 光，再进行显影，去除不必要的光刻胶和玻璃粉；将...
【技术保护点】
硅平面半导体器件的玻璃钝化方法，其特征在于将光刻胶和玻璃粉的混合液均匀涂敷在完成了扩散工序待表面钝化的硅片的表面，置于烘箱内进行前烘；然后送入曝光机内曝光，再进行显影，去除不必要的光刻胶和玻璃粉；将显影后的硅片装入载片舟，推入扩散炉进行去胶；再将硅片装上载片舟，推入扩散炉，升温至８２０℃，在Ｏ↓［２］气氛中烧结２０分钟后将载片舟拉出，取下硅片，即成。
【技术特征摘要】
1、硅平面半导体器件的玻璃钝化方法，其特征在于将光刻胶和玻璃粉的混合液均匀涂敷在完成了扩散工序待表面钝化的硅片的表面，置于烘箱内进行前烘；然后送入曝光机内曝光，再进行显影，去除不必要的光刻胶和玻璃粉；将显影后的硅片装入载片舟，推入扩散炉进行去胶；再将硅片装上载片舟，推入扩散炉，升温至820℃，在O2气...
【专利技术属性】
技术研发人员：程万坡，周明，顾理健，
申请(专利权)人：南通明芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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