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门极和阴极间采用玻璃钝化保护的可控硅器件，属于微电子技术领域。包括Ｎ－衬底层（１）、Ｐ＋扩散区（２）、Ｎ＋扩散区（４）、台面凹槽玻璃钝化层（５）、门极（Ｇ）、阴极（Ｔ１）和阳极（Ｔ２），门极（Ｇ）和阴极（Ｔ１）均位于可控硅器件同一侧的表面上...该专利属于武汉光谷微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光谷微电子股份有限公司授权不得商用。
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门极和阴极间采用玻璃钝化保护的可控硅器件，属于微电子技术领域。包括Ｎ－衬底层（１）、Ｐ＋扩散区（２）、Ｎ＋扩散区（４）、台面凹槽玻璃钝化层（５）、门极（Ｇ）、阴极（Ｔ１）和阳极（Ｔ２），门极（Ｇ）和阴极（Ｔ１）均位于可控硅器件同一侧的表面上...