本发明专利技术提供一种金属玻璃釉膜电阻器，其降低包含于绝缘性基体中的玻璃成分引起的对厚膜电阻体的ＴＣＲ特性的影响，使用包含玻璃成分的经济的绝缘性的基体得到良好的ＴＣＲ特性。该电阻器具备：包含玻璃的绝缘性的基体（１１）、形成于该基体的表面且不包含玻璃的第一保护膜（１２）、以及形成于第一保护膜上的厚膜电阻体（１３）。在包含玻璃的绝缘性的基体（１１）的表面形成第一保护膜（１２），实现与以ＲｕＯ２为主成分的厚膜绝缘体（１３）的绝缘，由此，可以抑制包含于基体（１１）中的玻璃成分对以ＲｕＯ２为主成分的厚膜电阻体（１３）的影响，且可以抑制厚膜电阻体自身具有的ＴＣＲ特性的变动。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在氧化铝等绝缘性的陶瓷基体上涂敷厚膜的电阻体糊料并进行烧结，在基体的表面形成厚膜电阻体的金属玻璃釉膜电阻器。
技术介绍
上述金属玻璃釉膜电阻器为小型且可以制作达到高电阻值领域的电阻器，对于耐候性及超负荷极为稳定，被广泛应用于各种电子设备。这样的金属玻璃釉膜电阻器通过例如在氧化铝等圆柱状的绝缘子上涂敷厚膜电阻体糊料并进行烧结，在绝缘子的表面形成以氧化钌为主成分的厚膜电阻体来制作(特开平6-310302号公报)。 厚膜电阻体包含例如氧化钌(RuO》和玻璃，已知随着玻璃成分增多，厚膜电阻体的电阻值增高，另外，TCR值向负方向移动。因此，在含有玻璃成分的绝缘子上形成厚膜电阻体的情况下，包含于绝缘子中的玻璃成分多时，厚膜电阻体受到包含于绝缘子中的玻璃成分的影响，从而存在向比厚膜电阻体材料(RuO》自身本来具有的TCR特性不良的值移动的问题。另外，包含于各基体(绝缘子)的玻璃的量不一定一样。因此，每个基体对厚膜电阻体的影响也不同，因此，极难使由此制造的每个电阻器的特性一样。另外，估计电阻值变高，需要对电阻体材料多使用金属材料。 上述问题也考虑使用不含玻璃的绝缘子，不含玻璃的绝缘子与含玻璃的绝缘子相比较，价格大幅升高，成为金属玻璃釉膜电阻器价格升高的主要原因。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供一种金属玻璃釉膜电阻器，其降低由包含于绝缘性的基体中的玻璃成分引起的对厚膜电阻体的TCR特性的影响，使用包含玻璃成分的经济的绝缘性的基体可得到良好的TCR特性。 为了解决上述课题，本专利技术的电阻器的特征在于，具备包含玻璃的绝缘性的基体、形成于该基体的表面且不包含玻璃的第一保护膜、形成于该第一保护膜上的厚膜电阻体。 另外，本专利技术的电阻器的制造方法的特征在于，准备包含玻璃的绝缘性的基体，在该基体的表面形成包含氧化金属的第一保护膜，在该第一保护膜上涂敷厚膜电阻体糊料并进行烧结，形成厚膜电阻体，在形成有该厚膜电阻体的基体的两端嵌入与厚膜电阻体连接的电极帽，修整厚膜电阻体，调节电阻值。 根据所述本专利技术，通过在包含玻璃的绝缘性基体的表面形成第一保护膜，实现包含玻璃的绝缘性的基体和以RuC^为主成分的电阻体的绝缘，由此，可以抑制包含于基体中的玻璃成分对以RuC^为主成分的电阻体的影响，可以抑制电阻体自身本来具有的电阻值及TCR特性的变动。由此，可以制造使用低成本的包含玻璃的基体，维持低成本，同时具有良好的TCR特性，且抑制多个制品间的特性的偏差，且也进一步抑制了用于电阻体材料的金属材料的使用量的金属玻璃釉膜电阻器。附图说明 图1是沿本专利技术一实施方式的金属玻璃釉膜电阻器的轴线的剖面图； 图2是在上述金属玻璃釉膜电阻器的中央部与轴线垂直的面的剖面图； 图3是表示在上述金属玻璃釉膜电阻器的各种条件下的TCR分布的图； 图4是表示上述金属玻璃釉膜电阻器的制造方法的图。具体实施例方式下面，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。另外，各图中，对具有同一作 用或功能的部件或要素标注相同的符号进行说明。 基体ll为包含氧化铝和玻璃的圆柱状的绝缘子，氧化铝/玻璃的构成比为 50/50、 80/20等。含有这样的玻璃的氧化铝绝缘子与不含玻璃的氧化铝绝缘子比较，可 以以非常低的成本购入。另外，作为绝缘子除氧化铝之外还有莫来石、堇青石、块滑石 等，但含有玻璃的材料为本专利技术的基体ll的前提。 第一保护膜12为在基体11的表面的整个面上形成的以氧化锡为主成分的氧化金 属膜。另外，除氧化锡之外还含有氧化镍、氧化铋等氧化金属，由此，可以提高第一保 护膜的绝缘性。第一保护膜12的厚度为了有效降低玻璃的扩散而设为0.1ym以上。另 外，考虑到膜厚度产生不均，且为确保绝缘性的稳定，第一保护膜12的厚度优选为按照 在第一保护膜12的至少一部分达到0.7 ii m以上的膜厚的方式进行成膜。作为有效降低 玻璃扩散的厚度没有上限，但设计上以4ym左右为上限。另外，作为第一保护膜使用氧 化锡，但也可以使用其他氧化金属的膜。作为置换的条件，优选为可以耐受以氧化钌为 主成分的厚膜电阻体烧结时的热，对以氧化钌为主成分的厚膜电阻体的特性等的影响小 的材料。作为优选材料的例子，可列举81203、 PbO、 AgO、 NiO、 Se02、 HfO、 Y203、 ZnO、 MgO、 In02、 SrO、 Ta205、 Te02、 CdO、 Si02、 Ge02、 Ga02、 A1203、 Zr02、 BaO、 CaO等。可以从这些材料中选择一种或两种以上作为第一保护膜的材料。 厚膜电阻体13按如下形成，将作为导电材料的氧化钌Ru02(或者将其作为主成 分且添加了氧化银AgO等的混合物)和硼硅酸铅玻璃等玻璃粉末混合，添加有机载色剂 (含有乙基纤维素的乙二醇丁醚醋酸酯溶液等)进行混炼，制成厚膜电阻体糊料，将其涂 敷于第一保护膜12的表面，在800 90(TC下进行烧结。在厚膜电阻体13上，通过激光 调阻机(laser-trimmer)及橡胶切割机(rubber-cutter)等形成切槽17，其电阻值被调节为例如 ±1%左右。另外，电阻值可调节为lOOkQ 10GQ左右的范围，特别是可以制造高电 阻值领域的电阻器。 在基体11的两端部嵌入电极帽14、 14，与厚膜电阻体13的两端部连接。另外， 在电极帽14、 14上通过电阻焊接等固定导线15、 15，实现将外部电路和厚膜电阻体13连 接的作用。另外，电极帽14、 14和厚膜电阻体13的表面由硅系涂料及环氧系涂料等的 第二保护膜16进行被覆，在第二保护膜16的表面显示电阻值等(未图示)。 根据上述金属玻璃釉膜电阻器，由于含有玻璃的绝缘体的基体11和以氧化钌为 主成分的厚膜电阻体13通过包含氧化锡等一种或两种以上的氧化金属膜的第一保护膜12 进行绝缘，故可以有效地防止包含于基体11中的玻璃成分向厚膜电阻体13的扩散。由5此，厚膜电阻体13几乎不受包含于基体11中的玻璃成分的影响，能够维持电阻体自身本 来具有的良好的TCR特性。 图3所示图表表示上述金属玻璃釉膜电阻器在各种条件下的TCR特性。图中A 表示包含于厚膜电阻糊料中的氧化钌自身的TCR分布(制造商值)，图中B表示不具有使 用氧化铝/玻璃比为80/20的绝缘子的第一保护膜的现有例的金属玻璃釉膜电阻器的TCR 分布。如图所示，厚膜电阻糊料自身的TCR(A)在Oppm/K前后分布，与之相对，现有例 的金属玻璃釉膜电阻体的TCR(B)受玻璃成分的影响移动到-lOOppm/K前后分布。 与之相对，图中C表示使用氧化铝/玻璃比为80/20的绝缘子，且具有第一保护 膜的本专利技术的金属玻璃釉膜电阻器的TCR分布。如图所示，表示的是本专利技术的金属玻璃 釉膜电阻器的TCR(C)在+25ppm/K前后分布，防止厚膜电阻体13的TCR受到来自基体 11的玻璃成分的影响而向负方向移动。 接下来，参照图4对本专利技术的金属玻璃釉膜电阻器的制造方法进行说明。首 先，准备绝缘性的基体ll(参照(a》。基体ll为氧化铝等圆柱状的绝缘子，使用例如氧 化铝/玻璃的构成比为50/50、 80/20等，且含有大量玻璃成分的低成本原料。 其次，准备包含作为第一保护膜的主材料的氯化锡本文档来自技高网...
【技术保护点】
电阻器，其特征在于，具备： 包含玻璃的绝缘性的基体、 形成于该基体的表面且不包含玻璃的第一保护膜、以及 形成于该第一保护膜上的厚膜电阻体。
【技术特征摘要】
JP 2007-11-22 2007-302983电阻器，其特征在于，具备包含玻璃的绝缘性的基体、形成于该基体的表面且不包含玻璃的第一保护膜、以及形成于该第一保护膜上的厚膜电阻体。2. 如权利要求1所述的电阻器，其特征在于，所述第一保护膜包含氧化金属膜。3. 如权利要求1所述的电阻器，其特征在于，所述第一保护膜的厚度为O.lym以上。4. 如权利要求1所述的电阻器，其特征在于，所述厚膜电阻体包含作为主成分的 Ru02。5. 如权利要求1所述的电阻器，其特征在于，所述第一保护膜包含Sn02、 Bi203、 PbO、 AgO、 NiO、 Se02、 HfO、 Y203、 ZnO、 MgO、 In02、 SrO、 Ta205、 Te02、 CdO、 Si02、 Ge02、 Ga02、 A1203、 Zr02、 BaO、 CaO的一种以上。6. 如权利要求1所述的电阻器，其特征在于，所述第一保护膜为以氧化锡为主成分的 氧化金属膜，所述膜包含氧化镍或氧化铋。7. 如权利要求1所述的电阻器，其特征在于，所述基体为包含氧化铝和玻璃的圆柱状 的绝缘子。8. 如权利要求7所述的电阻器，其特征在于，所述基体的氧化铝/玻璃的构成比为 50/50或80/20。9. 如权利要求1所述的电阻器，其特征在于，所述电阻器是其电阻值为100kQ 10GQ左右的高电阻值领域的电阻器。10...
【专利技术属性】
技术研发人员：内藤隆史，中村彰彦，
申请(专利权)人：兴亚株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]
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